목차
1. 서  론 1
2. 이론적 배경 5
 2.1 산화아연(Zinc oxide)의 물리적 성질 5
 2.2 박막 트랜지스터를 위한 High-κ 게이트 유전층 9
 2.3 박막 트랜지스터 구조 12
 2.4 박막 트랜지스터 동작 14
  2.4.1 드레인 전류식의 유도 14
  2.4.2 n-채널 박막 트랜지스터의 이상 동작 15
 2.5 최근 연구 동향 19
3 실험 목적 및 방법 21
 3.1 실험 목적 21
 3.2 펄스 레이저 증착법에 의한 박막 증착 21
  3.2.1 펄스 레이저 증착법 21
  3.2.2. 박막 증착 조건 및 실험 22
 3.3 박막 트랜지스터의 제작 25
4. 실험 결과 28
 4.1 High-k 게이트 유전층 성장 및 분석 28
  4.1.1 구조적 특성 분석 28
  4.1.2 광학적 특성 분석 31
  4.1.3 전기적 특성 분석 33
 4.2 TFT 채널층으로 적용된 ZnO 박막의 최적화 37
  4.2.1 구조적 특성 분석 37
  4.2.2 광학적 특성 분석 42
  4.2.3 전기적 특성 분석 44
 4.3 박막 트랜지스터 특성 분석 48
  4.3.1 High-κ 게이트 유전층 및 채널층 박막 성장 조건 선정 48
  4.3.2 High-κ 와 Low-κ 유전층을 사용한 박막 트랜지스터 48
5. 결   론 57
References 59
닫기