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첨단 소재 개발을 위한 선구 물질 화학 기술

첨단 소재 개발을 위한 선구 물질 화학 기술 (1회 대출)

자료유형
단행본
개인저자
김윤수, 연구책임자
단체저자명
한국화학연구원
서명 / 저자사항
첨단 소재 개발을 위한 선구 물질 화학 기술 = Precursor chemistry for the development of advanced materials / 한국화학연구원 [주관연구].
발행사항
[과천] :   과학기술부,   2001.  
형태사항
1책(면수복잡) : 삽도 ; 30 cm.
총서사항
국가 지정 연구실 사업
일반주기
연구책임자 : 김윤수  
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소장정보

No. 소장처 청구기호 등록번호 도서상태 반납예정일 예약 서비스
No. 1 소장처 과학도서관/Sci-Info(1층서고)/ 청구기호 660.28 2001 등록번호 121062841 (1회 대출) 도서상태 대출가능 반납예정일 예약 서비스 B M

컨텐츠정보

목차

제1장 서론(Introduction) = 1
  제1절 선구 물질 화학 기술(Technique of precursor chemistry) = 1
    1. 선구 물질 화학 기술의 기본 개념(Basic concepts of precursor chemistry) = 1
    2. 박막 제조에서의 완충층의 역할(Role of buffer layers in thin film preparation) = 1
  제2절 박막 및 나노물질의 제조와 특성 평가(Preparation and characterization of thin films and nanomaterials) = 2
    1. 화학 증착법에 의한 박막의 제조(Preparation of thin films by chemical vapor deposition) = 2
    2. 나노물질의 제조(Preparation of nanomaterials) = 2
    3. 선구 물질, 박막 및 나노물질의 특성 평가(characterization)(Characterization of precursors, thin films, and nanomaterials) = 3
제2장 국내외 기술 개발 현황(State of the arts) = 4
  제1절 국내의 기술 개발(Domestic) = 4
  제2절 국외의 기술 개발(Foreign) = 5
제3장 연구 개발 수행 및 결과(Results of the research) = 8
  제1절 산화마그네슘 및 질화갈륨 박막의 Si(001) 기질에서의 적층 성장(Epitaxial growth of magneisum oxide and gallium oxide thin films on Si(001) substrates) = 8
    1. 산화마그네슘 박막의 Si(001) 기질에서의 적층 성장(Epitaxial growth of magneisum oxide thin films on Si(001)) = 8
    2. 입방형 질화갈륨 박막의 Si(001) 기질에서의 적층 성장(Epitaxial growth of gallium oxide thin films on Si(001)) = 20
  제2절 13족 금속을 포함하는 이종 유기금속 화합물의 합성 및 응용(Preparation and application of heterobimetallic compounds containing the group 13 metals) = 23
    1. 서론(Introduction) = 23
    2. 실험(Experimental) = 23
    3. 결과 및 논의(Results and discussion) = 28
    4. 결론(Conclusions) = 29
    5. 참고 문헌(References) = 37
  제3절 산화물 나노입자 선구 물질의 합성과 나노입자의 제조(Synthesis of precursors for and preparation of oxide nanoparticles) = 37
    1. 서론(Introduction) = 37
    2. 실험(Experimental) = 39
    3. 결과 및 논의(Results and discussion) = 41
    4. 결론(Conclusions) = 43
    5. 참고 문헌(References) = 46
  제4절 단일 선구 물질을 이용한 이종 금속 산화물을 포함하는 중다공성 물질의 제조(Preparation of mesoporous materials containing heterometallic oxides using single precursors) = 46
    1. 서론(Introduction) = 46
    2. 실험(Experimental) = 47
    3. 결과 및 논의(Results and discussion) = 50
    4. 결론(Conclusions) = 51
    5. 참고 문헌(References) = 55
제4장 연구 개발 목표 달성도 및 대외 기여도(Degree of achievement and contribution) = 56
  제1절 연구 개발 목표와 달성 내용(Research objectives and achievements) = 56
  제2절 연구 개발 성과(Achievement of the research) = 57
    1. 논문 게재(Publications) = 57
    2. Proceedings 논문 게재(Proceedings publications) = 58
    3. 특허 출원 및 등록(Patent application and registration) = 59
제5장 연구 개발 결과의 활용 계획(Plan for application of research results) = 60
  제1절 물성이 더욱 개량된 단위체 단일 선구 물질의 개발(Development of monomeric single precursors with improved physical properties) = 60
    1. 단위체 단일 선구 물질(Monomeric single precursors) = 60
    2. 화학 증착 공정을 위한 단일 선구 물질의 상업화(Commercialization of single precursors for chemical vapor deposition) = 61
  제2절 금속 유기물 화학 증착 및 원자층 침착을 위한 단일 선구 물질의 개발(Development of the precursors for both MOCVD and ALD) = 61
    1. 이산화티타늄 선구 물질의 구조의 활용(Application of the structure of the precursor for titanium dioxide) = 61
    2. 기체상에서의 열분해에 의한 복합 산화물 나노입자의 제조(Preparation of nanoparticles of heterometallic oxides by thermal decomposition in the gas phase) = 62
    3. 단일 선구 물질의 실리콘 표면에서의 흡착(Adsorption of single precursors on Si surfaces) = 62

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