목차
1. 반도체 디바이스 프로세스와 평가
1.1 신재료 개발단계에서의 평가 = 12
1.2 재료의 품질향상 단계에서의 평가 = 14
1.2.1 원료의 순도 = 14
1.2.2 결정의 순도 = 15
1.2.3 결정의 불완전성 = 16
1.2.4 결정의 전기적 특성 = 18
1.2.5 결정의 광학적 성질 = 19
1.2.6 웨이퍼의 성질 = 20
1.3 디바이스화 프로세서에서의 평가 = 21
1.3.1 웨이퍼 가공 표면 = 21
1.3.2 확산 및 이온 주입층 = 23
1.3.3 절연막-반도체 구조 = 25
1.3.4 전극 및 배선 = 28
1.4 디바이스 평가(반도체 레이저의 예) = 30
1.4.1 디바이스 특성의 평가 = 30
1.4.2 디바이스의 신뢰성의 평가 = 32
1.5 시스템 평가 = 35
문헌 = 36
2. 반도체 결정의 불완전성과 평가
2.1 불순물의 거동과 그 평가 = 43
2.1.1 불순물의 분류 = 44
2.1.2 전기적 성질 = 49
2.1.3 야금학적 성질 = 57
2.2 구조결함의 작용과 그의 평가 = 59
2.2.1 점결함의 종류와 평가 = 60
2.2.2 전위(轉位)와 적층 결함 = 65
2.2.3 격자의 왜곡 = 70
2.3 표면·계면 구조와 그의 평가 = 71
2.3.1 반도체 표면의 구조와 평가 = 73
2.3.2 계면구조와 그의 평가 = 76
2.3.3 계면준위와 그의 평가 = 78
2.4 조성의 흔들림과 그의 평가 = 85
2.4.1 화학량론적 조성 = 86
2.4.2 혼정 조성의 흔들림 = 88
문헌 = 90
3. 평가의 목적과 평가 기술의 선택
3.1 불순물의 분석 = 95
3.2 구조에 관한 평가 = 101
3.2.1 박막의 두께, pn 접합의 깊이측정 = 101
3.2.2 초격자 구조의 두께, 주기의 측정 = 104
3.2.3 표면 결함의 관찰 = 108
3.2.4 내부의 결정결함의 관찰 = 111
3.2.5 격자 정수의 측정 = 115
3.2.6 미시적 구조(ESR, EXAFS) = 117
3.3 전기적 특성에 관한 평가 = 121
3.3.1 금지대폭 = 122
3.3.2 저항률 = 122
3.3.3 캐리어 밀도 = 123
3.3.4 캐리어 이동도 = 125
3.3.5 소수 캐리어 수명 = 126
3.3.6 깊은 에너지 준위 = 132
3.3.7 표면·계면 준위와 절연막의 평가 = 137
3.3.8 금속 전극 = 148
3.4 광학적 특성에 관한 평가 = 154
3.4.1 흡수계수, 반사율 = 154
3.4.2 금지대폭 = 168
3.4.3 불순물 = 178
문헌 = 183
4. 평가를 위한 기초기술
4.1 에칭 기술 = 193
4.2 벽개 기술 = 196
4.3 온도 제어 기술 = 198
4.4 전기적 평가를 위한 기초 기술(옴성 접촉의 형성법) = 202
4.4.1 금속의 선택 = 202
4.4.2 전극형성의 순서 = 204
4.4.3 액체금속을 사용하는 간편한 방법 = 207
4.4.4 특성의 체크 = 208
4.5 광학적 평가를 위한 기초 기술 = 208
4.5.1 광원 = 208
4.5.2 분광기 = 210
4.5.3 광 검지기 = 217
문헌 = 222
5. 현미경·전자선 및 X선을 이용한 구조평가기술
5.1 광학현미경 = 225
5.1.1 종래의 광학 전자 현미경(반사형 또는 투과형) = 225
5.1.2 미분 간섭 현미경 = 227
5.1.3 에칭법과의 조합(표면의 관찰) = 229
5.1.4 적외선 카메라와의 조합(적외선 투과 현미경법, 데코레이션법의 이용) = 231
5.1.5 포토 루미네슨스법과의 조합 = 232
5.1.6 광산란 토모그래피 = 233
5.2 전자현미경 = 235
5.2.1 주사형 전자 현미경 = 236
5.2.2 투과형 전자 현미경 = 243
5.2.3 투과형 전자 현미경의 고성능화·고기능화 = 247
5.2.4 시료 제작 기술 = 254
5.2.5 종래기술에 의한 상 관찰기술 = 267
5.2.6 고도기술에 의한 상 관찰기술 = 276
5.2.7 특수기술에 의한 상 관찰기술 = 280
5.2.8 결함의 성질 판정법 = 283
5.2.9 격자상의 시뮬레이션 = 288
5.2.10 전자현미경을 사용한 평가법의 문제점 = 288
5.3 X선법 = 293
5.3.1 시료의 준비 = 293
5.3.2 장치 = 294
5.3.3 X선 회절법 = 295
5.3.4 촬영에 의한 평가법 = 298
5.3.5 산란 X선에 의한 평가법 = 300
5.3.6 X선의 분광 스펙트럼을 이용한 평가법 = 300
문헌 = 301
6. 전기적 평가 기술
6.1 4탐침법 = 309
6.1.1 탐침 = 309
6.1.2 전기계 = 311
6.1.3 오차 = 312
6.2 홀 효과의 측정법 = 312
6.2.1 단책상 시료를 이용한 홀 효과의 측정법 = 312
6.2.2 van der Pauw 법 = 314
6.2.3 캐리어 이동도의 온도의존성에 기초한 산란 기구의 해석 = 318
6.3 C-V법 = 327
6.3.1 공핍층 용량 = 328
6.3.2 확산 전위의 결정 = 330
6.3.3 캐리어 밀도 분포 = 331
6.3.4 C-V 측정에 있어서의 깊은 에너지 준위의 영향 = 331
6.3.5 MIS 다이오드의 C-V 특성 = 334
6.4 깊은 에너지 준위의 전기적 평가법 = 338
6.4.1 SRH 통계와 전자 점유 함수의 변화 = 339
6.4.3 공핍층 용량과 트랩 파라미터의 관계 = 341
6.4.3 DLTS법 = 344
6.4.4 ICTS법 = 347
6.4.5 광 용량법 = 348
6.4.6 접합 용량법에 있어서의 오차 = 351
문헌 = 353
7. 광학적 평가 기술
7.1 포토 루미네슨스법 = 357
7.1.1 기본적 실험 장치 = 358
7.1.2 대표적인 포토 루미네슨스 = 363
7.1.3 깊은 준위에 관여한 포토 루미네슨스 = 377
7.2 적외분광법-적외흡수, 적외반사 = 382
7.2.1 적외 분광계 = 382
7.2.2 극성 반도체의 격자 진동에 의한 적외 흡수 = 385
7.2.3 국재 진동의 적외 흡수에 의한 측정 = 388
7.3 레이저 라만 분광법 = 389
7.3.1 레이저 라만 분광법의 원리 = 390
7.3.2 레이저 라만 분광법의 장치와 측정 방법 = 392
7.3.3 레이저 라만 분광법의 평가와 구체적인 예 = 395
문헌 = 401
8. 기기분석
8.1 전자선을 프로브로 하는 분석법- EPMA, AES- = 404
8.1.1 원리 = 404
8.1.2 장치 = 406
8.1.3 분석대상 = 408
8.2 광자를 프로브로 하는 분석법- XPS- = 410
8.2.1 원리 = 410
8.2.2 장치 = 411
8.2.3 분석대상 = 412
8.3 이온빔을 프로브로 하는 분석법- IMA, SIMS- = 414
8.3.1 원리 = 414
8.3.2 장치 = 416
8.3.3 분석대상 = 418
8.4 그 밖의 기기분석법 = 421
문헌 = 422
부록
1. 기호표 = 423
2. 반도체 평가의 약어 대칭표 = 426
3. van der Pauw 법에 있어서 보정계수 f의 값 = 429
찾아보기 = 435
