| 000 | 00848namccc200265 k 4500 | |
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| 008 | 031007s1996 ulka 000a kor | |
| 020 | ▼a 8930300979 ▼g 93560 : ▼c \ 3,500 | |
| 035 | ▼a KRIC02285037 | |
| 040 | ▼a 221016 ▼c 221016 ▼d 242009 ▼d 242009 ▼d 211009 | |
| 049 | 1 | ▼l 121028064 ▼f 과학 |
| 082 | 0 4 | ▼a 621.38152 ▼2 21 |
| 090 | ▼a 621.38152 ▼b 1996b | |
| 100 | 1 | ▼a 장지근, ▼e 저 |
| 245 | 1 0 | ▼a 메모리 커패시터용 Pb(Zrx Ti1-x )O₃강유전체 박막의 제작과 특성 / ▼d 張志根 ; ▼e 林聖奎 ; ▼e 張鎬延 共著. |
| 260 | ▼a 서울 : ▼b 集文堂 , ▼c 1996. | |
| 300 | ▼a 78 p. : ▼b 삽도 ; ▼c 23 cm. | |
| 440 | 0 0 | ▼a 峨山財團 硏究報告書 ; ▼v 第21輯 |
| 504 | ▼a 참고문헌: p.76-78 | |
| 653 | ▼a 메모리 커패시터용 ▼a 강유전체 박막 ▼a Pb(Zr Ti )O₃ | |
| 700 | 1 | ▼a 임성규, ▼e 저 |
| 700 | 1 | ▼a 장호연, ▼e 저 |
소장정보
| No. | 소장처 | 청구기호 | 등록번호 | 도서상태 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| No. 1 | 소장처 과학도서관/보존서고3(동양서)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 121028064 (3회 대출) | 도서상태 대출가능 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
| No. 2 | 소장처 세종학술정보원/과학기술실(5층)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 151043070 | 도서상태 대출불가(자료실) | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
| No. 3 | 소장처 세종학술정보원/과학기술실(5층)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 151059469 (1회 대출) | 도서상태 대출불가(자료실) | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
| No. 4 | 소장처 세종학술정보원/과학기술실(5층)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 151059470 | 도서상태 대출불가(자료실) | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
| No. | 소장처 | 청구기호 | 등록번호 | 도서상태 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| No. 1 | 소장처 과학도서관/보존서고3(동양서)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 121028064 (3회 대출) | 도서상태 대출가능 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
| No. | 소장처 | 청구기호 | 등록번호 | 도서상태 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| No. 1 | 소장처 세종학술정보원/과학기술실(5층)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 151043070 | 도서상태 대출불가(자료실) | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
| No. 2 | 소장처 세종학술정보원/과학기술실(5층)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 151059469 (1회 대출) | 도서상태 대출불가(자료실) | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
| No. 3 | 소장처 세종학술정보원/과학기술실(5층)/ | 청구기호 621.38152 1996b | 등록번호 151059470 | 도서상태 대출불가(자료실) | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
컨텐츠정보
저자소개
장지근(지은이)
목차
목차 제1장 서론 = 7 제2장 이론적 배경 = 13 1) Pb(Zr,Ti)O₃(PZT) 재료의 기본성질 = 15 2) PZT 박막의 메모리 커패시터 응용 = 18 제3장 RF Magnetron Sputtering 기술에 의한 PZT 박막의 제작 = 27 1) 스퍼터링 타겟과 하부구조의 설계 = 29 2) 시편 제작 = 32 3) 측정방법 = 38 제4장 실험결과 및 고찰 = 41 1) Pt/Ti/SiO₂/Si 하부구조 = 43 2) PZT 박막의 상형성 = 44 3) 형상관찰 및 성분분석 = 45 4) PZT 커패시터의 전기적 특성 = 47 제5장 결론 = 71