목차
제1장 입자의 기초이론
1.1 소립자 = 10
1.2 전자볼트(eV : electron Volt) 및 전계내의 전자운동 = 12
1.3 원자 구조 = 15
1.4 반도체의 종류 = 17
1.5 반도체의 구조 및 성질 = 19
1.6 반도체 결정구조 = 26
1.7 에너지밴드 구조 = 28
1.8 자유전자와 정공 = 33
연습문제 = 36
제2장 고체 전자 이론
2.1 고체 내의 결합력 = 38
2.2 에너지 밴드 구조 = 40
2.3 금속, 반도체 절연체 에너지 밴드 = 42
2.4 금속결정체 = 44
2.5 전자방출 = 47
2.6 페르미 다이락 분포함수 = 48
2.7 금속의 도전 현상 = 50
연습문제 = 56
제3장 반도체의 전기적 성질
3.1 전계 내 캐리어 운동 = 58
3.2 확산운동 = 63
3.3 재결합 = 65
3.4 순수 반도체와 불순물 반도체 = 69
3.5 홀 효과(Hall effect) = 74
연습문제 = 77
제4장 p - n 접합 제작 및 기본이론
4.1 p - n 접합 제작 = 80
4.2 p - n 접합 = 83
4.3 열평형상태에서의 p - n 접합 = 85
4.4 p - n 접합 바이어스 전압효과 = 91
4.5 p - n 접합의 전기적 특성 = 95
연습문제 = 96
제5장 p - n 접합 다이오드 특성
5.1 이상적 p - n 다이오드 동작 = 100
5.2 p - n 다이오드 특성 = 106
5.3 p - n 접합의 역방향 파괴현상 = 110
5.4 다이오드 스위칭 동작 = 112
5.5 터널 다이오드 = 113
5.6 항복 다이오드 = 114
5.7 가변용량 다이오드 = 116
5.8 금속과 반도체 접촉 = 117
연습문제 = 122
제6장 바이폴라 트랜지스터
6.1 트랜지스터 구조 = 124
6.2 트랜지스터의 동작원리 = 125
6.3 트랜지스터 확산 모델 = 129
6.4 증폭기로서 트랜지스터 기본동작 = 133
6.5 실제의 트랜지스터 = 135
6.6 공동베이스 특성 = 139
6.7 공동에미터접속(CE)의 정특성 = 142
6.8 트랜지스터의 스위칭 동작 = 148
연습문제 = 149
제7장 전계효과 트랜지스터 이론과 특성
7.1 접합형 전계효과 트랜지스터 = 152
7.2 절연형 FET(MOS - FET) = 158
7.3 공핍형 n채널 MOS - FET = 164
7.4 CMOS - FET = 165
7.5 MOS - FET의 정전용량 = 168
7.6 짧은(단) 채널효과 = 171
7.7 소규모(Small Dimension) MOS - FET 특성 = 174
연습문제 = 179
제8장 집적회로 이론 및 설계
8.1 반도체의 발달 과정 = 182
8.2 IC의 특징 = 188
8.3 반도체 IC 제품의 분류 = 190
8.4 IC의 구조에 의한 분류 = 194
8.5 동작에 의한 분류 = 196
8.6 반도체 주문형 집적회로 설계 = 197
8.7 기억소자 종류 및 동작원리 = 199
연습문제 = 205
제9장 반도체 단위공정
9.1 산화막 공정 = 208
9.2 확산 공정 = 212
9.3 이온주입공정 = 218
9.4 사진식각 = 221
9.5 화학증착 = 225
연습문제 = 228
제10장 집적회로 공정
10.1 마스크 제작 = 232
10.2 MOS 접적회로 제작과정 = 233
10.3 N - Channel MOS - FET 제조공정 = 243
10.4 NPN 바이폴라 트랜지스터 제조공정 = 254
연습문제 = 280
부록
1. 기본 물리상수, 단위의 환산 및 그리이스 문자 = 282
2. 반도체 웨이퍼 제조방법 = 284
3. 반도체 용어 해설 = 289
찾아보기 = 324
