목차
Ⅰ 반도체 기초
1. 반도체의 개념 = 12
2. 기초 물질 = 14
01. 원자 = 14
02. 최외각 전자 = 16
03. 주기율표 = 17
04. 원자의 전자 배치 = 20
05. 페르미 준위와 분포 함수 = 25
06. 전자의 일함수 = 27
3. 반도체 물리 = 28
01. 도너와 억셉터 준위 = 28
02. P형과 N형 도핑제 = 32
4. 재료의 결정 구조 = 34
01. 고체의 구조 = 34
02. 결정 구조 = 36
03. 결정의 면과 방향 = 42
단원 종합 문제 = 45
Ⅱ 반도체 소자
1. 반도체의 발전 = 48
01. 진공관 = 49
02. 트랜지스터 = 51
03. 집적 회로(IC) = 52
04. 반도체 기술의 발전 = 52
05. 반도체 소자의 종류 = 54
06. 반도체의 분류 = 55
2. 다이오드 = 60
01. 다이오드의 기초 = 60
02. 다이오드의 동작 특성 = 62
03. 바이어스 = 64
04. 다이오드의 명칭 = 66
05. 다이모드의 접합 형태 = 67
06. 다이오드의 용도 = 67
07. 다이오드 실험 = 74
3. 트랜지스터 = 77
01. 트랜지스터의 기초 = 77
02. 트랜지스터의 동작 특성 = 78
03. 트랜지스터의 종류 = 80
04. 트랜지스터의 정특성 실험 = 86
4. 반도체 소자의 작용 = 89
01. 다이오드의 정류 작용 = 89
02. 트랜지스터의 증폭 작용 = 90
03. 발광 및 수광 소자의 변환 작용 = 90
04. 반도체 논리 회로의 전환 작용 = 91
05. 메모리 소자의 저장 작용 = 91
06. 마이크로프로세서의 제어 작용 = 91
단원 종합 문제 = 92
Ⅲ 반도체 재료
1. 단결정 성장 방법 = 96
01. 고순도 실리콘 제조 = 96
02. 기둥 형태로 제작하는 방법 = 96
03. 에피택시얼 성장법 = 100
2. 결정 성장 실습 = 102
3. 반도체 원／부자재 = 105
01. 웨이퍼 = 105
02. 웨이퍼 종류 = 106
03. 웨이퍼의 특성 = 109
04. 웨이퍼 개발 방향 = 109
05. 반도체 소자 제조용 부자재 = 110
06. 용어 설명 = 112
07. 반도체 수율 = 115
08. 반도체에 사용되는 단위 = 116
단원 종합 문제 = 119
Ⅳ 반도체 공정
1. 기본 요소 기술 = 122
01. 세정(cleaning) = 122
02. 열산화(thermal oxidation) = 122
03. 불순물 첨가(impurity doping) = 123
04. 박막 형성(thin film deposition) = 123
05. 사진 석판(photo lithography) = 123
06. 평탄화(planarization) = 124
07. 식각(etching) = 124
2. 반도체 공정의 개요 = 125
01. 웨이퍼 제조 및 회로 설계 = 126
02. 웨이퍼 가공 = 127
03. 조립 및 검사 = 129
3. 반도체 공정의 실제 = 131
01. 다결정 실리콘 제조 = 131
02. 결정 성장 및 웨이퍼 형성 = 132
03. 회로 설계 및 마스크 제작 = 135
04. 웨이퍼 가공 = 136
05. 칩 선별 = 139
06. 조립 공정 = 140
07. IC 제조 공정 = 142
4. 반도체 제조 라인 = 162
01. 제조 라인의 개관 = 162
02. FAB 라인 모양 = 162
03. 청정실 복장 = 163
04. 청정실 = 164
05. 각 공정별 작업 장면 = 165
단원 종합 문제 = 167
Ⅴ 반도체 공정 실습
1. 회로 설계 실습 = 170
2. 마스크 제작 실습 = 176
3. 웨이퍼 가공 실습 = 178
4. 초기 웨이퍼 세정 실습 = 179
5. 공정 중 웨이퍼 세정 실습 = 181
6. 회전 도포 실습 = 182
7. 진공 탈수 베이크 실습 = 185
8. 소프트 베이크 실습 = 186
9. 포토마스크 세정 실습 = 188
10. 마스크 정렬과 노광 실습 = 189
11. PR 현상 실습 = 191
12. 하드 베이크 실습 = 193
13. 실리콘 식각 실습 = 194
14. 확산 실습 = 197
15. 산화 실습 = 199
16. 스퍼터링 실습 = 203
17. 알루미늄 식각 실습 = 210
18. 진공 증착 실습 = 211
19. 알루미늄 어닐링 실습 = 213
20. 전기 전도율과 저항 측정 실습 = 214
21. 두께 측정 실습 = 217
22. 웨이퍼 전도 형태 측정 = 218
단원 종합 문제 = 220
Ⅵ 반도체 응용
1. 메모리 반도체 = 224
01. RAM = 224
02. ROM = 229
2. 램(RAM)의 동작 원리 = 232
01. 데이터 저장하기-write = 233
02. 데이터 읽어오기-read = 234
3. 비메모리 반도체 = 235
01. ASIC = 235
02. 범용 IC = 237
03. 특수 반도체 = 238
04. 시장 동향 = 240
4. 반도체 소자 관련 주의 사항 = 241
01. IC 제작 환경상의 주의 사항 = 241
02. 사용 환경상의 주의 사항 = 242
03. 시스템 설계상의 주의 사항 = 242
04. 반도체 소자의 수명 = 243
단원 종합 문제 = 246
인용 및 참고 문헌 = 247
찾아보기 = 250
부록
