목차
제1장 반도체의 기본특성 = 19
1.1. 반도체 재료 = 19
1.2. 결정 구조 = 21
1.3. 반도체 결정의 성장 = 22
1.3.1. 주괴의 결정 성장 = 22
1.3.2. 에피택셜 성장 = 23
1.4. 에너지 대역 = 24
1.5. 반도체와 절연체 = 27
1.6. 외인성 반도체 = 28
1.7. 에너지 다이어그램 = 30
1.8. 유효질량 = 32
1.9. 직접전이 및 간접전이 = 35
제2장 반도체 내의 전하 캐리어 = 37
2.1. Fermi-Dirac 분포함수 = 37
2.2. 양자상태밀도 = 39
2.3. 열평형상태에서 전자와 정공의 농도 = 41
2.4. 열평형조건 = 43
2.5. Fermi 준위의 위치 = 45
2.5.1. 진성반도체에서 Fermi 준위의 위치 = 46
2.5.2. Carrier의 농도에 의한 Fermi 준위의 위치 = 46
2.5.3. Fermi 준위의 온도의존성 = 47
2.5.4. 캐리어의 동결과 캐리어 생성의 사태 = 48
2.5.5. Quasi Fermi 준위 = 50
2.6. 전계 및 자계 내에서 캐리어 표동 = 52
2.6.1. 전도도와 이동도 = 52
2.7. 이동도에 대한 온도와 도핑 영향 = 55
2.8. 강전계효과 = 58
2.9. Hall 효과 = 59
제3장 반도체 내의 과잉 캐리어 = 61
3.1. 광자의 흡수 = 61
3.2. 광조사로 생성된 과잉 캐리어의 농도 = 63
3.3. 전자와 정공의 직접 재결합 = 65
3.4. 간접적 재결합 = 67
3.5. 불순물 준위 = 68
3.6. 불순물 준위와 재결합의 형태 = 70
3.7. 광전도 소자 = 72
3.8. 캐리어의 확산 = 73
3.8.1. 확산 과정과 확산 전류 = 73
3.8.2 첨자물의 농도가 불균일한 재료에서 캐리어의 확산 = 76
제4장 p-n 접합 = 80
4.1. p-n 접합의 제작 = 80
4.1.1. 결정의 성장형 접합 = 80
4.1.2. 합금형 접합 = 81
4.1.3. 확산형 접합 = 82
4.1.4. 이온주입에 의한 접합 = 83
4.2. p-n 접합의 평형상태 = 83
4.2.1. 접촉 전위차 = 83
4.2.2. 접합부의 공간전하 = 87
4.3. 순방향 및 역방향으로 바이어스된 접합부 = 90
4.3.1. 바이어스에 의한 접합부의 상태변화 = 91
4.3.2. 순방향 및 역방향으로 바이어스된 접합부의 전류 = 93
4.4. 역방향 바이어스 항복 = 98
4.4.1. 애벌랜치 항복 = 99
4.4.2. Zener 항복 = 100
4.5. p-n 접합의 정전용량 = 102
4.6. 태양전지와 광검출기 = 106
4.6.1. 광전류와 광기전력 = 106
4.6.2. 태양전지 = 108
4.6.3. 광검출기 = 109
4.7. LED = 112
4.8. 단일 접합 트랜지스터 = 114
제5장 금속-반도체 접합 = 117
5.1. Schottky 접촉 = 117
5.2. Schottky 다이오드의 정류특성 = 119
5.3. Ohmic 접촉 = 121
제6장 쌍극성 접합 트랜지스터 = 124
6.1. 전류증폭 = 124
6.2. BJT의 이미터 접지증폭회로 = 127
6.2.1. BJT의 바이어스 전압 = 128
6.2.2. 이미터 접지 증폭회로의 동작점 = 132
6.2.3. 이미터접지 증폭회로의 증폭도 = 134
6.2.4. 미터접지회로의 입력과 출력 임피던스 = 138
6.3. 컬렉터접지 증폭회로 = 139
6.4. 베이스접지 증폭회로 = 141
6.5. 쌍극성 트랜지스터증폭기의 주파수특성 = 142
6.6. 쌍극성 트랜지스터로 구성한 증폭기의 종류 = 144
6.6.1. 교류전압 증폭기 = 144
6.6.2. 전력증폭회로 = 148
6.7. 쌍극성 트랜지스터의 스위칭 동작 = 152
6.8. 달링턴접속 = 155
6.9. SCR와 트라이액 = 156
6.9.1. SCR = 156
6.9.2. 트라이액 = 158
6.9.3. 다이액 = 158
제7장 전계효과 트랜지스터 = 161
7.1 접합 FET = 161
7.1.1. JFET의 동작특성 = 162
7.1.2. JFET의 바이어스 = 165
7.1.3. 소스접지 증폭회로 = 167
7.1.4. 드레인접지 증폭회로 = 169
7.1.5. 게이트접지 증폭회로 = 171
7.1.6. JFET의 정전류동작 = 172
7.1.7. JFET의 가변저항동작 = 173
7.1.8. JFET의 스위칭동작 = 174
7.2. MOS FET = 176
7.2.1. MOS FET의 동작 = 176
7.2.2. MOS FET의 문턱전압 = 181
7.2.3. MOS FET 증폭기 = 183
7.2.4. MOS FET의 스위칭동작 = 191
7.2.5. 전력용 MOS FET = 194
7.2.6. IGBT = 197
제8장 선형증폭기 = 200
8.1. 입력 차동증폭기 = 200
8.2. 선형증폭기의 내부구조 = 204
8.3. 선형증폭기의 특성 = 208
8.4. OP 앰프의 증폭회로 = 212
8.4.1. 비반전 증폭기 = 213
8.4.2. 반전 증폭기 = 214
8.4.3. 가산기회로 = 219
8.4.4. 브리지형 차동증폭기 = 222
8.4.5. 전류측정회로 = 225
8.4.6. 전류 증폭회로 = 227
8.4.7. 전압-전류 변환회로 = 228
8.4.8. 오프셋 전압 조절회로 = 231
8.5. 적분회로 = 234
8.6. 미분회로 = 237
8.7. 위상변환 회로 = 241
제9장 아날로그 승산기 = 245
9.1. 아날로그 승산기의 구조 = 245
9.2. 승ㆍ제산 회로 = 248
9.3. 파의 변조와 복조 = 250
제10장 비 선형회로 = 254
10.1. 레벨 콤퍼레이터 = 254
10.1.1. 콤퍼레이터의 종류 = 254
10.1.2. 콤퍼레이터의 히스테리시스 특성 = 257
10.2. 아날로그 메모리 = 260
10.2.1. 피크홀드 회로 = 261
10.2.2. 샘플ㆍ홀드 회로 = 263
10.3. 대수 증폭기와 역대수 증폭기 = 265
10.3.1. 대수 증폭기 = 266
10.3.2. 역대수 증폭기 = 269
제11장 필터회로 = 273
11.1. 로패스 필터 = 275
11.1.1. 1차 LPF 회로 = 275
11.1.2. 2차 LPF 회로 = 277
11.2. 하이 패스 필터 = 280
11.2.1. 1차 HPF 회로 = 281
11.2.2. 2차 HPF 회로 = 282
11.3. 밴드 패스 필터 = 284
11.4. 밴드 엘리미네이트 필터 = 289
11.4.1. 트윈 T BEF 회로 = 289
11.4.2. 시뮬레이티브 인덕터에 의한 BEF 회로 = 292
11.4.3. 귀환회로에 넣은 BPF회로와 BEF 회로의 관계 = 293
11.5. 스위치와 커패시터 필터(SCF) = 293
제12장 발진회로 = 296
12.1. 조화진동회로 = 296
12.1.1 C-R공진 발진회로 = 297
12.2. L-C 발진회로 = 303
12.2.1. 2차 코일로 여진시킨 발진회로 = 303
12.2.2. 하틀리 발진회로 = 304
12.2.3. 콜피츠 발진회로 = 307
12.2.4. 수정 발진회로 = 309
12.3. 이장 발진회로 = 314
12.3.1. 자주 멀티바이브레이터 = 314
12.3.2. 듀티 가변 자주 멀티바이브레이터 = 316
12.3.3. 삼각파 출력 자주 멀티바이브레이터 = 316
12.3.4. 톱니파 출력 자주 멀티바이브레이터 = 319
12.4. VFC = 319
12.5. VCO = 323
12.6. PLL = 325
12.7. 함수발생기 = 329
제13장 논리 게이트 = 331
13.1. 논리 게이트 = 332
13.1.1. NOT 게이트 = 332
13.1.2. AND 게이트 = 333
13.1.3. NAND 게이트 = 333
13.1.4. OR 게이트 = 334
13.1.5. NOR 게이트 = 335
13.1.6. Exclusive OR 게이트와 Exclusive NOT 게이트 = 335
13.2. 부울 대수 = 337
13.3. 디지털 게이트의 품종 = 341
13.3.1. TTL 계열 = 341
13.3.2. CMOS 계열 = 342
제14장 연산회로 = 345
14.1. 디지털 수의 표기법 = 345
14.2. 가산기 = 349
14.3. 감산기 = 350
14.4. 보수를 이용한 감산 = 352
14.5. 8421 가산기 = 355
14.6. 3초과 가산기 = 356
14.7. 승산기 = 358
14.8. 수의 비교기 = 359
14.9. 제산 = 360
제15장 멀티바이브레이터 = 361
15.1. 쌍안정 멀티바이브레이터 = 361
15.1.1. S-R 플립플롭 = 361
15.1.2. 클록트 S-R 플립플롭 = 364
15.1.3. 데이터 플립플롭 = 365
15.1.4. 토글 플립플롭 = 369
15.1.5. J-K 플립플롭 = 370
15.2. 단안정 멀티바이브레이터 = 372
15.3. 비안정 멀티바이브레이터 = 376
15.4. 슈미트 트리거회로 = 382
제16장 카운터 = 385
16.1. 바이너리 리플 카운터 = 385
16.2. 동기식 바이너리 카운터 = 387
16.3. 모듈러스 카운터 = 389
16.4. 프리세터블 Up／Down 카운터 = 391
16.5. 주파수 분주 카운터 = 393
16.6. 프로그래머블 카운터 = 395
16.7. 존슨 카운터 = 396
16.8. 링 카운터 = 397
제17장 래지스터 = 399
17.1. 직렬입력／병렬출력 시프트 레지스터 = 399
17.2. 순회용 시프트 레지스터 = 399
17.3. 직렬입력／직렬ㆍ병렬출력 시프트 레지스터 = 401
17.4. 직렬ㆍ병렬입력／직렬출력 시프트 레지스터 = 402
17.5. 병렬입력／병렬출력 레지스터 = 402
17.6. 만능 레지스터 = 403
제18장 버스버퍼 = 404
18.1. 3-스테이트 버스버퍼 = 404
18.2. 3 스테이트 D-타입 플립플롭 = 405
18.3. 데이터 래치형 버퍼 = 406
18.4. 양방향 데이터 버스버퍼 = 407
제19장 디코더, 인코더 실렉터 = 409
19.1. 어드레스 디코더 = 409
19.2. 7-세그먼트 디코더 = 415
19.3. 인코더 = 418
19.4. 디지털 실렉터 = 420
19.5. 아날로그 멀티플렉서／디멀티플렉서 = 422
제20장 DAC와 ADC = 425
20.1. DAC = 425
20.1.1. 전압가산형 DAC = 425
20.1.2. 전류가산형 DAC = 427
20.1.3. 정전류형 DAC = 429
20.2. ADC = 432
20.2.1. 램프전압 비교형 ADC = 432
20.2.2. 축차 비교형 ADC = 433
20.2.3. 플래시형 ADC = 436
20.2.4. 2중 적분형 ADC = 437
20.2.5. ΔΣ형 ADC = 439
제21장 메모리 = 440
21.1. ROM = 440
21.1.1. 마스크 ROM = 441
21.1.2. EPROM = 444
21.2. RAM = 446
21.2.1. SRAM = 447
21.2.2. DRAM = 448
21.3. 의사 SRAM = 455
제22장 전원 = 457
22.1. AC 정류 = 457
22.1.1. 교류 변압기 = 458
22.1.2. 정류회로 = 461
22.2. 선형 정전압회로 = 464
22.3. 3단자 볼테이지 레귤레이터 = 466
22.4. 전하 펌프식 전원 = 469
22.5. DC-DC 컨버터 = 470
22.5.1. 강압형 DC-DC 컨버터 = 470
22.5.2. 승압형 DC-DC 컨버터 = 474
22.6. AC 입력형 스위칭 볼테이지 레귤레이터 = 475
22.6.1. 라인필터와 AC 정류회로 = 476
22.6.2. 블로킹 발진기 = 477
22.6.3. 출력회로 = 479
22.6.4. 스너버 회로 = 481
22.7. 고전압 레귤레이터 = 482
22.8. DC-AC 인버터 = 483
22.9 펄스 회로 = 485
22.9.1. 유니폴러 펄스 출력회로 = 486
22.9.2. 바이폴러 펄스 출력회로 = 486
22.9.3. 펄스의 전력화 = 487
제23장 센서 = 489
23.1. 온도센서 = 489
23.1.1. 서미스터 = 489
23.1.2. 다이오드 온도센서 = 492
23.1.3. 열전대 = 494
23.2. 습도센서 = 498
23.2. 광센서 = 500
23.2.1. 포토다이오드 = 500
23.2.2. 광결합 소자 = 508
23.2.3. CdS 광도전셀 = 509
23.2.4. 적외선센서 = 511
23.3. 압력 센서 = 512
23.4. 초음파 센서 = 514
23.5. 자기센서(Hall Sensor) = 516
부록 = 519
1. 교류이론 = 519
2. 과도현상 = 524
3. 전기진동 = 529
4. 에너지와 일률의 단위 = 532
