목차
저자 서문 = ⅰ
역자 서문 = ⅴ
1장 저항률 = 1
1.1 소개 = 1
1.2 2분 그리고 4분 탐침 = 2
1.2.1 보정 요소 = 8
1.2.2 임의의 모양을 가지는 시편의 저항률 = 15
1.2.3 측정 회로 = 19
1.2.4 측정 오차와 주의 사항 = 19
1.3 웨이퍼 매핑 = 22
1.3.1 이중 주입 = 22
1.3.2 변조된 광반사도 = 24
1.3.3 반송자 조사 = 25
1.3.4 광학적 밀도 측정법 = 26
1.4 저항률 프로파일링 = 27
1.4.1 차등 홀 효과 = 27
1.4.2 퍼짐 저항 프로파일링(SRP) = 30
1.5 비접촉 방법 = 35
1.5.1 와류 전류 = 35
1.6 전도도 유형 = 39
1.7 강점과 약점 = 41
부록 1.1 = 42
부록 1.2 = 44
참고문헌 = 46
연습문제 = 52
복습문제 = 61
2장 반송자와 도핑 농도 = 63
2.1 소개 = 63
2.2 정전용량-전압(C-V) = 63
2.2.1 차등 정전용량 = 63
2.2.2 밴드 오프셋 = 70
2.2.3 최대-최소 MOS-C 정전용량 = 73
2.2.4 적분 정전용량 = 77
2.2.5 수은 탐침 접촉 = 77
2.2.6 전기화학 C-V 프로파일러 = 79
2.3 전류-전압(I-V) = 81
2.3.1 MOSFET 기판 전압-게이트 전압 = 81
2.3.2 MOSFET 문턱 전압 = 82
2.3.3 퍼짐 저항 = 84
2.4 측정 오차와 주의 사항 = 84
2.4.1 디바이 길이와 항복 전압(파괴 전압) = 84
2.4.2 직렬 저항 = 85
2.4.3 소수 반송자와 계면 포획 = 91
2.4.4 다이오드 가장자리와 기생 정전용량 = 93
2.4.5 과도한 누설 전류 = 94
2.4.6 깊은 준위 도핑 원소／포획 자리 = 94
2.4.7 반절연 기판 = 95
2.4.8 계측기 한계 = 96
2.5 홀 효과 = 97
2.6 광학적 기법 = 100
2.6.1 플라스마 공명 = 100
2.6.2 자유 반송자 흡수 = 101
2.6.3 적외선 분광법 = 102
2.6.4 광발광 = 104
2.7 2차 이온 무게 분광법(SIMS) = 104
2.8 러더퍼드 역산란(RBS) = 106
2.9 측면 프로파일링 = 107
2.10 강점과 약점 = 108
부록 2.1 = 109
부록 2.2 = 111
참고문헌 = 112
연습문제 = 120
복습문제 = 128
3장 접촉 저항과 쇼트키 장벽 = 131
3.1 소개 = 131
3.2 금속-반도체 접촉 = 132
3.3 접촉 저항 = 135
3.4 측정 기법 = 139
3.4.1 2-접촉 2-단자법 = 139
3.4.2 다접촉 2-단자법 = 143
3.4.3 4-단자 접촉 저항 방법 = 153
3.4.4 6-단자 접촉 저항 방법 = 160
3.4.5 비평탄 접촉 = 160
3.5 쇼트키 장벽 높이 = 161
3.5.1 전류-전압 = 162
3.5.2 전류-온도 = 163
3.5.3 정전용량-전압 = 165
3.5.4 광전류 = 166
3.5.5 탄도 전자 방출 현미경법(BEEM) = 167
3.6 방법들의 비교 = 167
3.7 강점과 약점 = 168
부록 3.1 = 169
부록 3.2 = 172
참고문헌 = 172
연습문제 = 179
복습문제 = 189
4장 직렬 저항, 채널 길이와 폭, 문턱 전압 = 191
4.1 소개 = 191
4.2 pn 접합 = 191
4.2.1 전류-전압 = 191
4.2.2 개방 회로 전압 감쇠(OCVD) = 195
4.2.3 정전용량-전압(C-V) = 196
4.3 쇼트키 장벽 다이오드 = 197
4.3.1 직렬 저항 = 197
4.4 태양 전지 = 199
4.4.1 직렬 저항-다중 광 세기 = 200
4.4.2 직렬 저항-일정한 광 세기 = 203
4.4.3 병렬 저항 = 204
4.5 양극성 접합 트랜지스터 = 205
4.5.1 이미터 저항 = 207
4.5.2 컬렉터 저항 = 209
4.5.3 베이스 저항 = 209
4.6 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) = 213
4.6.1 직렬 저항과 채널 길이-전류-전압 = 213
4.6.2 채널 길이-정전용량-전압 = 223
4.6.3 채널 너비 = 225
4.7 MESFET와 MODFET = 227
4.8 문턱 전압 = 229
4.8.1 선형 외삽법 = 231
4.8.2 일정한 드레인 전류 = 233
4.8.3 아문턱 드레인 전류 = 234
4.8.4 상호 전달 전도도 = 234
4.8.5 상호 전달 전도도 미분 = 235
4.8.6 드레인 전류 비율 = 236
4.9 모조 MOSFET = 238
4.10 강점과 약점 = 239
부록 4.1 = 239
참고문헌 = 240
연습문제 = 247
복습문제 = 258
5장 결함 = 259
5.1 소개 = 259
5.2 생성-재결합 통계학 = 261
5.2.1 그래프적 관점 = 261
5.2.2 수학적 기술 = 263
5.3 정전용량 측정 = 266
5.3.1 정상 상태 측정 = 267
5.3.2 천이 측정 = 267
5.4 전류 측정 = 276
5.5 전하 측정 = 278
5.6 깊은 준위 천이 분광법(DLTS) = 279
5.6.1 일반적인 DLTS = 279
5.6.2 계면에 포획된 전하 DLTS = 289
5.6.3 광과 주사 DLTS = 292
5.6.4 사전 주의 사항 = 294
5.7 열적으로 자극된 정전용량과 전류 = 297
5.8 양전자 소멸 분광법(PAS) = 298
5.9 강점과 약점 = 301
부록 5.1 = 302
부록 5.2 = 303
부록 5.3 = 305
참고문헌 = 310
연습문제 = 317
복습문제 = 326
6장 산화막, 계면에 포획된 전하, 산화막 두께 = 327
6.1 소개 = 327
6.2 고정된, 산화막에 포획된, 그리고 움직이는 전하 = 329
6.2.1 정전용량-전압 곡선 = 329
6.2.2 평탄 대역 전압 = 335
6.2.3 정전용량 측정 = 340
6.2.4 고정 전하 = 342
6.2.5 게이트-반도체의 일함수 차 = 344
6.2.6 산화막 포획 전하 = 347
6.2.7 유동 전하 = 347
6.3 계면 포획 전하 = 351
6.3.1 저주파수(준정적) 방법 = 351
6.3.2 전도도 = 356
6.3.3 고주파수 방법 = 360
6.3.4 전하 펌핑 = 361
6.3.5 MOSFET 아문턱 전류 = 368
6.3.6 직류-IV = 370
6.3.7 다른 방법들 = 372
6.4 산화막 두께 = 373
6.4.1 정전용량-전압 = 373
6.4.2 전류-전압 = 378
6.4.3 다른 방법들 = 378
6.5 강점과 약점 = 378
부록 6.1 = 380
부록 6.2 = 381
참고문헌 = 382
연습문제 = 391
복습문제 = 397
7장 반송자 수명 = 399
7.1 소개 = 399
7.2 재결합 수명／표면 재결합 속도 = 400
7.3 생성 수명／표면 생성 속도 = 404
7.4 재결합 수명-광학 측정 = 406
7.4.1 광전도도 감쇠(PCD) = 410
7.4.2 준정상 상태 광전도도(QSSPC) = 412
7.4.3 단락 전류／개방 전압 감쇠(SCCD／OCVD) = 413
7.4.4 광발광 감쇠(PLD) = 414
7.4.5 표면 광전압(SPV) = 415
7.4.6 정상 상태 단락 전류(SSSCC) = 423
7.4.7 자유 반송자 흡수 = 424
7.4.8 전자 빔 유도 전류(EBIC) = 427
7.5 재결합 수명-전기적 측정 = 429
7.5.1 다이오드 전류-전압 = 429
7.5.2 역회복(RR) = 431
7.5.3 개방 전압 감쇠(OCVD) = 433
7.5.4 펄스 MOS 용량기 = 436
7.5.5 다른 기술 = 439
7.6 생성 수명-전기적 측정 = 440
7.6.1 게이트 제어 다이오드 = 440
7.6.2 펄스 MOS 용량기 = 443
7.7 강점과 약점 = 451
부록 7.1 = 452
부록 7.2 = 459
참고문헌 = 460
연습문제 = 470
복습문제 = 477
8장 이동도 = 479
8.1 소개 = 479
8.2 전도도 이동도 = 479
8.3 홀 효과와 이동도 = 480
8.3.1 웨이퍼나 균일한 평판에 적용되는 기본적인 식 = 480
8.3.2 불균일한 막 = 486
8.3.3 겹층 = 488
8.3.4 시편 모양과 회로 측정 = 490
8.4 자기 저항 이동도 = 493
8.5 시간 흐름에 따른 표동 이동도 = 496
8.6 MOSFET 이동도 = 503
8.6.1 유효 이동도 = 503
8.6.2 전계 효과 이동도 = 515
8.6.3 포화 이동도 = 516
8.7 비접촉성 이동도 = 517
8.8 강점과 약점 = 517
부록 8.1 = 518
부록 8.2 = 520
부록 8.3 = 521
부록 8.4 = 522
참고문헌 = 523
연습문제 = 530
복습문제 = 536
9장 탐침과 전하 기반 규명법 = 539
9.1 소개 = 539
9.2 배경 = 540
9.3 표면 충전 = 541
9.4 켈빈 탐침 = 542
9.5 응용 = 549
9.5.1 표면 광전압(SPV) = 549
9.5.2 반송자 수명 = 550
9.5.3 표면 개질 = 553
9.5.4 표면 근처 도핑 농도 = 554
9.5.5 산화막 전하 = 554
9.5.6 산화막 두께와 계면 포획 밀도 = 556
9.5.7 산화막 누설 전류 = 557
9.6 주사 탐침 현미경법(SPM) = 558
9.6.1 주사 터널링 현미경법(STM) = 559
9.6.2 원자간력 현미경법(AFM) = 561
9.6.3 주사 정전용량 현미경법(SCM) = 563
9.6.4 주사 켈빈 탐침 현미경법(SKPM) = 566
9.6.5 주사 퍼짐 저항 현미경법(SSRM) = 569
9.6.6 탄도 전자 방출 현미경법(BEEM) = 570
9.7 강점과 약점 = 572
참고문헌 = 572
연습문제 = 577
복습문제 = 578
10장 광학적 규명 = 579
10.1 소개 = 579
10.2 광학 현미경법 = 580
10.2.1 해상도, 배율, 대조 = 581
10.2.2 암시야, 위상, 그리고 간섭차 현미경법 = 584
10.2.3 공초점 광학 현미경법 = 586
10.2.4 간섭 현미경법 = 589
10.2.5 결함 식각 = 592
10.2.6 근접장 광학 현미경법(NFOM) = 592
10.3 타원편광분석 = 595
10.3.1 이론 = 595
10.3.2 무효 편광분석 = 598
10.3.3 회전 분석 편광분석 = 599
10.3.4 분광 타원편광분석 = 600
10.3.5 응용 = 601
10.4 투과 = 602
10.4.1 이론 = 602
10.4.2 계측설비화 = 605
10.4.3 응용 = 608
10.5 반사 = 610
10.5.1 이론 = 610
10.5.2 응용 = 612
10.5.3 내부 반사 적외선 분광법 = 615
10.6 광산란 = 617
10.7 변조 분광법 = 618
10.8 선폭 = 619
10.8.1 광학적-물리적 방법 = 619
10.8.2 전기적 방법 = 621
10.9 광루미네선스 = 622
10.10 라만 분광법 = 627
10.11 강점과 약점 = 629
부록 10.1 = 630
부록 10.2 = 632
참고문헌 = 633
연습문제 = 641
복습문제 = 646
11장 화학적인 규명법과 물리적인 규명법 = 647
11.1 소개 = 647
11.2 전자빔 기술 = 648
11.2.1 주사 전자 현미경법(SEM) = 649
11.2.2 오제 전자 분광법(AES) = 654
11.2.3 전자 미세 탐침(EMP) = 659
11.2.4 투과 전자 현미경법(TEM) = 665
11.2.5 전자빔 유도된 전류(EBIC) = 669
11.2.6 음극 발광(CL) = 671
11.2.7 저에너지, 고에너지 전자 회절(LEED) = 672
11.3 이온빔 기법 = 673
11.3.1 2차 이온 질량 분광법(SIMS) = 674
11.3.2 러더퍼드 역산란 분광법(RBS) = 679
11.4 X선과 g선 기법 = 685
11.4.1 X선 형광(XRF) = 685
11.4.2 X선 광전자 분광법(XPS) = 689
11.4.3 X선 구조 검사(XRT) = 692
11.4.4 중성자 활성화 분석(NAA) = 694
11.5 강점과 약점 = 696
부록 11.1 = 697
참고문헌 = 699
연습문제 = 707
복습문제 = 709
12장 신뢰도와 고장 분석 = 711
12.1 소개 = 711
12.2 고장 시간과 가속 인자 = 712
12.2.1 고장 시간 = 712
12.2.2 가속 인자 = 712
12.3 분포 함수 = 714
12.4 신뢰도 관련 사항 = 717
12.4.1 전자 이주(EM) = 717
12.4.2 핫 캐리어 = 723
12.4.3 게이트 산화막 충실성(GOI) = 726
12.4.4 음 바이어스 온도 불안정성(NBTI) = 733
12.4.5 스트레스 유도된 누설 전류(SILC) = 734
12.4.6 정전기 방전(ESD) = 735
12.5 고장 해석 규명 기법 = 737
12.5.1 부동 드레인 전류(IDDQ) = 737
12.5.2 기계적 탐침 = 738
12.5.3 발광 현미경법(EMMI) = 738
12.5.4 형광 미세열사진기술(FMT) = 741
12.5.5 적외선 열사진기술(IRT) = 741
12.5.6 전압 대조 = 741
12.5.7 레이저 전압 탐침(LVP) = 743
12.5.8 액정(LC) = 743
12.5.9 광학적 빔 유도된 저항 변화(OBIRCH) = 744
12.5.10 집속된 이온빔(FIB) = 746
12.5.11 잡음 = 746
12.6 강점과 약점 = 750
부록 12.1 = 752
참고문헌 = 754
연습문제 = 761
복습문제 = 765
부록 1 LIST OF SYMBOLS = 767
부록 2 ABBREVIATIONS AND ACRONYMS = 775
찾아보기 = 781
