목차
제1장 원자와 전자
1. 원자의 구조 = 11
1.1 기본 개념 = 11
1.2 Bohr의 원자 모형 = 12
1.3 원자내 전자의 에너지 준위 = 16
1.4 원자 구조 = 17
1.5 파울리의 배타원리와 주기율표 = 18
2. 전자의 성질 = 23
2.1 전자의 전하량 = 23
2.2 전계 내에서의 전자 운동 = 24
2.3 자계 내에서의 전자 운동 = 24
연습문제 = 26
제2장 원자의 결합과 결정
1. 원자 결합 = 28
1.1 결합력 = 28
1.2 결합의 종류 = 30
2. 결정 구조 = 34
2.1 결정의 주기성 = 34
2.2 입방 구조 = 36
2.3 밀러 지수와 결정면 정의 = 39
2.4 격자 결함 = 40
2.5 반도체의 결정 구조 = 42
연습문제 = 46
제3장 반도체 제조 기술
1. 반도체 제조 기술 = 47
1.1 실리콘 단결정 기술 = 47
1.2 반도체 단결정(화합물 반도체) = 51
1.3 반도체 단결정의 전기적 특성 측정 = 61
1.4 반도체 프로세스 기술 = 65
1.5 금속배선기술 = 82
1.6 에칭 기술 = 91
1.7 식각(Lithography) 기술 = 99
연습문제 = 105
제4장 반도체의 기본적 특성
1. 반도체 재료 및 결정 구조 = 107
2. 에너지대 구조 = 111
2.1 분자의 에너지대 구조 = 111
2.2 결정 내에서의 에너지대 = 113
2.3 도체, 반도체, 절연체의 에너지대 = 115
3. 전자와 정공 = 118
3.1 자유전자(free electron)와 정공(hole) = 118
3.2 실효질량(effective mass) = 120
4. 반도체의 종류 및 에너지대 = 122
4.1 진성반도체(intrinsic semiconductor) = 122
4.2 불순물반도체(extrinsic semiconductor) = 124
4.3 화합물 반도체 = 127
4.4 직접 및 간접형 반도체 = 129
연습문제 = 131
제5장 반도체의 전기적 특성
1. 반도체의 전자 분포(電子分布) = 133
1.1 Fermi-Dirac의 분포함수 = 135
1.2 Maxwell-Boltzmann의 분포함수 = 137
2. 진성반도체에서의 페르미 준위 = 138
3. 진성반도체의 캐리어 농도 = 141
4. 불순물반도체의 페르미 준위 = 144
4.1 n형 반도체의 페르미 준위 = 144
4.2 p형 반도체의 페르미 준위 = 148
4.3 페르미 준위와 캐리어 농도와의 관계 = 150
5. 불순물반도체의 캐리어 농도 = 151
5.1 열생성과 재결합 = 151
5.2 캐리어 농도 = 152
6. 반도체 내의 전기적 특성 = 154
6.1 전계 내에서의 드리프트 운동 = 154
6.2 전자 및 정공의 열운동 = 156
6.3 홀 효과(Hall effect) = 159
7. 확산 운동 = 161
8. 소수캐리어의 수명 = 165
9. 연속의 식 = 167
연습문제 = 171
제6장 pn 접합
1. pn 접합 = 173
1.1 pn 접합의 제작 = 173
1.2 pn 접합의 정류성 = 175
1.3 에너지대 구조 = 178
1.4 접촉전위차 = 180
1.5 공간전하영역에서의 전계의 분포 = 182
1.6 공간전하영역의 폭 = 185
1.7 바이어스 전압의 효과 = 186
연습문제 = 190
제7장 pn 접합 다이오드의 특징
1. 바이어스 전압의 방향에 따른 전류 특성 = 191
1.1 순바이어스일 때의 전류 = 192
1.2 역바이어스일 때의 전류 = 198
2. pn 다이오드의 동작 특성 = 200
2.1 pn 다이오드의 전류-전압 특성 = 200
2.2 pn 다이오드의 온도 특성 = 202
3. 회로에서의 pn 다이오드 = 206
3.1 다이오드의 소신호 동작 = 206
3.2 부하선(load line) = 209
4. 항복 현상 = 210
4.1 애벌란시 항복(avalanche breakdown) = 211
4.2 제너 항복(Zener breakdown) = 212
5. 다이오드의 종류 = 212
5.1 터널 다이오드(Tunnel Diode) = 213
5.2 버랙터 다이오드(Varactor Diode) = 214
5.3 발광 다이오드(Light - Emitting Diode) = 215
5.4 금속 - 반도체 다이오드(Metal - Semiconductor Diode) = 216
6. 금속과 반도체 접촉 = 217
6.1 옴성 접촉(Ohmic contact) = 219
6.2 정류성 접촉(Rectifying contact) = 221
연습문제 = 223
제8장 접합 트랜지스터
1. 쌍극성 접합 트랜지스터 = 225
1.1 3쌍극성 접합 트랜지스터의 구조 = 225
1.2 쌍극성 접합 트랜지스터의 동작 = 227
1.3 전류증폭률 = 230
1.4 이미터 효율 = 234
2. 이상적 트랜지스터 = 234
2.1 이상적 트랜지스터의 동작 상태 = 234
2.2 접합 트랜지스터의 조건 = 235
2.3 중성영역에서의 소수캐리어 농도 = 236
2.4 이미터 전류 및 컬렉터 전류 = 238
2.5 Ebers-Moll의 식 = 240
3. 실제의 트랜지스터 = 242
3.1 접지 형식과 트랜지스터 동작 = 243
3.2 베이스폭 변조 = 252
4. 트랜지스터 하이브리드(hybrid) 모델 = 254
5. 트랜지스터의 주파수 특성 = 256
5.1 차단주파수(cut-off frequency) = 256
5.2 시간 지연 요소(time-delay factor) = 258
5.3 스위칭 작용 = 259
5.4 트랜지스터의 최대 정격 = 261
연습문제 = 263
제9장 전계 효과 트랜지스터
1. 접합형 전게 효과 트랜지스터(JFET : Junction Field Effect Transistor) = 265
1.1 JFET의 기본 구조 = 266
1.2 접합형 FET의 동작 특성 = 269
1.3 JFET의 전류 - 전압 특성 = 274
1.4 JFET의 소신호 등가회로 = 278
1.5 JFET의 주파수 특성과 차단주파수 = 281
2. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) = 282
2.1 MOSFET의 구조 = 282
2.2 MOSFET의 전류 - 전압 특성 = 284
연습문제 = 289
제10장 반도체 응용 소자
1. 광전 소자 = 291
1.1 포토다이오드 = 291
1.2 포토트랜지스터 = 293
1.3 CD 셀 = 294
1.4 발광 다이오드 = 296
1.5 태양전지 = 299
2. 정류기 = 303
2.1 금속정류기 = 303
2.2 전력용 pn 접합 정류기 = 305
2.3 제어 정류기 = 308
2.4 서미스터 및 바리스터 = 326
연습문제 = 333
부록 = 335
찾아보기 = 345
