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화합물 반도체 표면구조 변환 및 전극 형성 기술

화합물 반도체 표면구조 변환 및 전극 형성 기술 (2회 대출)

자료유형
단행본
개인저자
이종람, 연구책임 최경진, 연구
단체저자명
포항공과대학교, 주관연구
서명 / 저자사항
화합물 반도체 표면구조 변환 및 전극 형성 기술 = Modification of surface structure and contact formation technology for compound semiconductors / 주관연구책임: 이종람 ; 연구원: 최경진 [외] ; 주관연구기관: 포항공과대학교.
발행사항
[과천] :   과학기술부,   2005.  
형태사항
83 p. : 삽도 ; 30 cm.
일반주기
중사업명 및 세부사업명: 국가지정연구실사업(National research laboratory)  
서지주기
참고문헌: p. 80-83
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710 ▼a 포항공과대학교, ▼e 주관연구 ▼0 AUTH(211009)149438
710 ▼a 한국. ▼b 과학기술부 ▼0 AUTH(211009)148152
740 ▼a 국가지정연구실사업
740 ▼a National research laboratory
945 ▼a KINS

소장정보

No. 소장처 청구기호 등록번호 도서상태 반납예정일 예약 서비스
No. 1 소장처 과학도서관/Sci-Info(1층서고)/ 청구기호 621.38152 2005p 등록번호 121109327 (2회 대출) 도서상태 대출가능 반납예정일 예약 서비스 B M

컨텐츠정보

목차

제1장 연구개발과제의 개요(A Brief Outline of the Present Research) = 11
  제1절 연구개발의 필요성과 목적(Purpose and objectives) = 11
  제2절 연구개발의 범위(Scope of research) = 12
제2장 국내외 기술개발 현황(Current Technological Status) = 13
  제1절 국·내외 관련분야에 대한 기술개발 현황(Domestic and international status) = 30
  제2절 연구결과가 차지하는 위치(Status of research results in the field) = 30
제3장 연구개발 수행 내용 및 결과(Research Contents and Important Results) = 33
  제1절 연구 추진 전략 및 방법(Research strategies) = 33
  제2절 연구 수행 내용 및 주요 결과(Research contents and results) = 36
  제3절 연구성과(Achievements) = 46
제4장 연구개발목표 달성도 및 대외기여도(Degree of R&D Accomplishment and Their Contributions) = 65
  제1절 연구개발목표의 달성도(Achievement) = 65
  제2절 관련분야 기술발전에의 기여도(Contribution to related technologies) = 69
제5장 연구개발결과의 활용계획(Future Plans for Utilizing the Present R&D Results) = 72
제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보(Important Technological Informations from foreign countries) = 75
제7장 참고문헌(Refercences) = 81

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