목차
제1장 반도체 물리 = 9
1.1 원자구조 = 11
1.2 물질의 분류 = 13
1.3 비저항 = 20
1.4 캐리어의 이동 = 25
연습문제 = 27
제2장 웨이퍼의 구조 = 31
2.1 실리콘결정의 성장 = 34
2,2 웨이퍼의 결정방향, 절단 및 연마 = 36
2.3 결정방향 = 37
2.4 결정성장시의 도핑 = 39
2.5 결정결함(crystal defetc) = 40
연습문제 = 42
제3장 에피택샬 증착 = 45
3.1 서론 = 47
3.2 이론 = 49
3.3 에피택샬층의 성장 = 54
3.4 에피택샬 반응로 = 56
3.5 에피택샬층의 평가 = 59
연습문제 = 62
제4장 산화공정 = 65
4.1 서론 = 67
4.2 산화공정 = 68
4.3 산화막의 평가 = 72
4.4 산화막의 두께 = 75
4.5 산화반응 = 79
4.6 열산화시 도핑원자의 재분포 = 80
4.7 양극산화 = 81
연습문제 = 83
제5장 포토 마스킹 = 85
5.1 서론 = 87
5.2 포토마스크의 형성 = 87
5.3 사진석판공정(photolithography) = 89
연습문제 = 96
제6장 불순물 주입 및 재분포 = 97
6.1 확산 = 99
6.2 확산공정 = 100
6.3 이온주입 = 108
6.4 확산의 수학적 해석 = 111
연습문제 = 122
쩨7장 화학증착 = 125
7.1 서론 = 127
7.2 화학증착의 순서 및 응용 = 130
연습문제 = 135
제8장 금속박의 증착 = 137
8.1 금속막의 구비조건 = 139
8.2 진공증착 = 140
8.3 증착기법 = 142
8.4 진공증착 공정 = 146
연습문제 = 147
제9장 소자공정 = 149
9.1 합금／어닐 = 151
9.2 알로이 공정후의 표본 검사 = 152
9.3 긁힘보호(scratch protection) = 153
9.4 뒷면처리(backside preparation) = 153
9.5 웨이퍼의 분류 = 155
9.6 소자분리(device separation) = 155
9.7 다이접착(die attach 혹은 die bonding) = 156
9.8 도선 접착(wire bonding) = 157
9.9 패키징의 고려사항 = 157
9.10 최종검사 = 157
연습문제 = 159
제10장 = 161
10.1 바이폴라 기술 = 163
10.2 NMOS 기술 = 175
10.3 CMOS 기술 = 182
10.4 SOI(silicon-on-insulator) 기술 = 192
연습문제 = 195
제11장 오염방지 = 197
11.1 화학약품 및 세척과정 = 199
11.2 물 = 200
11.3 공기 = 203
11.4 기체 = 204
11.5 인체／청정실 = 204
연습문제 = 205
제12장 최근의 실리콘 기술 = 207
12.1 기술추세 : 기판 크기와 소자 밀도 = 209
12.2 배열／노출 = 210
12.3 공정기술의 발전 = 212
12.4 소자기술의 발달 = 213
연습문제 = 216
제13장 비실리콘 기술 = 217
13.1 발광다이오드 = 219
13.2 광집적회로(光集積回路) = 219
13.3 액정표시(LCD : liquid crystal display) = 220
13.4 수정발진자 = 220
13.5 자기버블 및 자역소자(magnetic domain device) = 220
13.6 하이브리드 기술 = 221
연습문제 = 222
찾아보기 = 223
