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| 035 | ▼a KRIC07925756 | |
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| 049 | 1 | ▼l 121056135 ▼f 과학 |
| 082 | 0 4 | ▼a 621.044 ▼2 21 |
| 088 | ▼a I-03-100 | |
| 090 | ▼a 621.044 ▼b 2000a | |
| 110 | ▼a 한국과학기술연구원 ▼0 AUTH(211009)147065 | |
| 245 | 1 0 | ▼a 플라즈마 이온주입 기술을 이용한 shallow junction doping 기술 개발 = ▼x Development of shallow junction doping technology using plasma source ion implantation / ▼d 한국과학기술연구원 [편] |
| 260 | ▼a [과천] : ▼b 과학기술부, ▼c 2000 | |
| 300 | ▼a 71 p. : ▼b 삽도 ; ▼c 30 cm | |
| 500 | ▼a 최종보고서 | |
| 500 | ▼a 주관연구: 한승희 | |
| 504 | ▼a 참고문헌 수록 | |
| 700 | 1 | ▼a 한승희, ▼e 주관연구 |
| 710 | ▼a 한국. ▼b 과학기술부, ▼e 편 ▼0 AUTH(211009)148152 | |
| 740 | ▼a Development of shallow junction doping technology using plasma source ion implantation |
소장정보
| No. | 소장처 | 청구기호 | 등록번호 | 도서상태 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| No. 1 | 소장처 과학도서관/보존서고3(동양서)/ | 청구기호 621.044 2000a | 등록번호 121056135 | 도서상태 대출가능 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
컨텐츠정보
목차
제1장 서론(Introduction) = 11
제2장 국내외 기술개발 현황(Technology Trends) = 13
제1절 플라즈마 이온주입 기술(Plasma Source Ion Implantation) = 13
제2절 Shallow Junction Doping 기술(Shallow Junction Doping Technology) = 15
제3장 연구개발 수행내용 및 결과(Research Results and Discussion) = 22
제1절 실험방법(Experimental) = 22
1. 플라즈마 이온주입 장치(Plasma Source Ion Implantation System) = 22
2. Shallow Junction Doping 실험 및 특성평가(Shallow Junction Doping Experiment) = 33
제2절 결과 및 고찰(Results and Discussion) = 36
1. 플라즈마 특성측정(Plasma Diagnostics) = 36
2. Shallow Junction Doping 실험 결과(Shallow Junction Doping Results) = 45
3. 플라즈마 이온주입에 의한 결함 분석(Damage Analysis) = 61
제4장 연구개발목표 달성도 및 대외기여도(Achievement of the Research Goal) = 68
제5장 연구개발결과의 활용계획(Further Study) = 70
제6장 참고문헌(References) = 71