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플라즈마 이온주입 기술을 이용한 shallow junction doping 기술 개발

플라즈마 이온주입 기술을 이용한 shallow junction doping 기술 개발

Material type
단행본
Personal Author
한승희, 주관연구
Corporate Author
한국과학기술연구원
Title Statement
플라즈마 이온주입 기술을 이용한 shallow junction doping 기술 개발 = Development of shallow junction doping technology using plasma source ion implantation / 한국과학기술연구원 [편]
Publication, Distribution, etc
[과천] :   과학기술부,   2000  
Physical Medium
71 p. : 삽도 ; 30 cm
General Note
최종보고서  
주관연구: 한승희  
Bibliography, Etc. Note
참고문헌 수록
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001 000000835648
005 20221228132641
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710 ▼a 한국. ▼b 과학기술부, ▼e▼0 AUTH(211009)148152
740 ▼a Development of shallow junction doping technology using plasma source ion implantation

Holdings Information

No. Location Call Number Accession No. Availability Due Date Make a Reservation Service
No. 1 Location Science & Engineering Library/Stacks 3(Eastern Books)/ Call Number 621.044 2000a Accession No. 121056135 Availability Available Due Date Make a Reservation Service B M

Contents information

Table of Contents

제1장 서론(Introduction) = 11
제2장 국내외 기술개발 현황(Technology Trends) = 13
   제1절 플라즈마 이온주입 기술(Plasma Source Ion Implantation) = 13
   제2절 Shallow Junction Doping 기술(Shallow Junction Doping Technology) = 15
제3장 연구개발 수행내용 및 결과(Research Results and Discussion) = 22
   제1절 실험방법(Experimental) = 22
      1. 플라즈마 이온주입 장치(Plasma Source Ion Implantation System) = 22
      2. Shallow Junction Doping 실험 및 특성평가(Shallow Junction Doping Experiment) = 33
   제2절 결과 및 고찰(Results and Discussion) = 36
      1. 플라즈마 특성측정(Plasma Diagnostics) = 36
      2. Shallow Junction Doping 실험 결과(Shallow Junction Doping Results) = 45
      3. 플라즈마 이온주입에 의한 결함 분석(Damage Analysis) = 61
제4장 연구개발목표 달성도 및 대외기여도(Achievement of the Research Goal) = 68
제5장 연구개발결과의 활용계획(Further Study) = 70
제6장 참고문헌(References) = 71

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