목차
저자 서문 = xiii
역자 서문 = xv
1장 서론 = 1
1.1 반도체 물질 = 2
1.2 반도체 소자 = 2
1.3 반도체 공정 기술 = 6
1.3.1 핵심 반도체 기술 = 6
1.3.2 기술 동향 = 9
1.4 기본 제작 단계 = 12
1.4.1 산화 = 13
1.4.2 광 노광 공정과 식각 = 14
1.4.3 확산과 이온 주입 = 14
1.4.4 금속화 공정 = 14
1.5 요약 = 15
참고 문헌 = 16
2장 결정 성장 = 19
2.1 액상 용탕으로부터의 실리콘 결정 성장 = 20
2.1.1 원재료 = 20
2.1.2 Czochralski 법 = 20
2.1.3 도판트의 분산 = 22
2.1.4 유효 편석 계수 = 25
2.2 실리콘 부유 대역 공정 = 26
2.3 GaAs 결정 성장 기술 = 30
2.3.1 원재료 = 30
2.3.2 결정 성장 기술 = 33
2.4 재료 특성 = 35
2.4.1 웨이퍼 성형 = 35
2.4.2 결정 특성 = 37
2.5 요약 = 42
참고 문헌 = 42
연습 문제 = 43
3장 실리콘산화 = 45
3.1 열 산화 공정 = 46
3.1.1 성장 운동 = 46
3.1.2 얇은 산화물 성장 = 54
3.2 산화 과정 중 불순물 재분포 = 55
3.3 실리콘 산화막의 마스킹 특성 = 56
3.4 산화물 품질 = 58
3.5 산화물 두께 특성 = 59
3.6 산화 모의 실험 = 61
3.7 요약 = 63
참고 문헌 = 64
연습 문제 = 64
4장 광 노광 공정 = 67
4.1 광학적 노광 = 67
4.1.1 청정실 = 67
4.1.2 노광 도구 = 70
4.1.3 마스크 = 74
4.1.4 감광제 = 76
4.1.5 패턴 전사 = 78
4.1.6 해상도 향상 기술 = 80
4.2 차세대 노광 기술 = 81
4.2.1 전자 빔 노광 = 81
4.2.2 극자외선 노광 = 85
4.2.3 엑스선 노광 = 86
4.2.4 이온 빔 노광 = 87
4.2.5 여러 노광 기술들의 비교 = 88
4.3 광 노광 모의 실험 = 89
4.4 요약 = 91
참고 문헌 = 92
연습 문제 = 93
5장 식각 공정 = 95
5.1 습식 화학 식각 = 95
5.1.1 실리콘 식각 = 96
5.1.2 산화막 식각 = 98
5.1.3 실리콘 나이트라이드와 다결정 실리콘 식각 = 98
5.1.4 알루미늄 식각 = 98
5.1.5 갈륨 아세나이드 식각 = 99
5.2 건식 식각 = 100
5.2.1 플라즈마의 기초 = 101
5.2.2 식각 메커니즘, 플라즈마 분석, 종점 조절 = 102
5.2.3 플라즈마 식각 기술과 장비의 민감도 = 104
5.2.4 반응성 플라즈마 식각의 적용 = 108
5.3 식각 모의 실험 = 112
5.4 요약 = 113
참고 문헌 = 114
연습 문제 = 115
6장 확산 = 117
6.1 기본 확산 공정 = 118
6.1.1 확산 방정식 = 119
6.1.2 확산 분포 = 121
6.1.3 확산 층의 평가 = 125
6.2 외인성 확산 = 127
6.2.1 농도 의존 확산 계수 = 128
6.2.2 확산 분포 = 130
6.3 측면 확산 = 132
6.4 확산 모의 실험 = 133
6.5 요약 = 134
참고 문헌 = 135
연습 문제 = 136
7장 이온 주입 = 139
7.1 주입된 이온의 범위 = 140
7.1.1 이온 분포 = 141
7.1.2 이온 정지 = 142
7.1.3 이온 채널링 = 146
7.2 이온 주입 손상과 열처리 = 148
7.2.1 이온 주입 손상 = 148
7.2.2 열처리 = 150
7.3 이온 주입 관련 공정 = 152
7.3.1 복식의 이온 주입과 마스킹 = 152
7.3.2 경사각 이온 주입 = 155
7.3.3 고에너지 주입과 고전류 주입 = 155
7.4 이온 주입 모의 실험 = 156
7.5 요약 = 157
참고 문헌 = 158
연습 문제 = 159
8장 박막 증착 = 161
8.1 에피택시얼 성장 기술 = 161
8.1.1 화학 기상 증착(CVD) = 162
8.1.2 분자 빔 에피택시(MBE) = 165
8.2 에피택시얼 층의 구조와 결함 = 170
8.2.1 격자 병합 및 변위 층 에피택시 = 170
8.2.2 에피택시얼 층의 결함 = 171
8.3 유전체 증착 = 173
8.3.1 실리콘 이산화물 = 174
8.3.2 실리콘 질화물 = 179
8.3.3 저 유전 상수 물질 = 180
8.3.4 고 유전 상수 물질 = 182
8.4 다결정 실리콘 증착 = 183
8.5 금속화 공정 = 186
8.5.1 물리 기상 증착법 = 186
8.5.2 화학 기상 증착법(CVD) = 187
8.5.3 알루미늄 금속화 공정 = 188
8.5.4 구리 금속화 공정 = 192
8.5.5 실리사이드 = 194
8.6 증착 모의 실험 = 196
8.7 요약 = 198
참고 문헌 = 198
연습 문제 = 200
9장 집적 공정 = 203
9.1 수동 부품 = 205
9.1.1 집적 회로 저항 = 205
9.1.2 집적 회로 축전기 = 207
9.1.3 집적 회로 유도체 = 208
9.2 쌍극성 기술 = 210
9.2.1 기본 제조 공정 = 211
9.2.2 유전체 격리 = 215
9.2.3 자기 정렬 이중 - 다결정 실리콘 쌍극성 구조 = 216
9.3 MOSFET 기술 = 218
9.3.1 기본 제조 공정 = 218
9.3.2 기억 소자 = 222
9.3.3 CMOS 기술 = 226
9.3.4 BiCMOS 기술 = 233
9.4 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터(MESFET) 기술 = 235
9.5 MEMS 기술 = 238
9.5.1 몸체 극소 기계 가공 = 238
9.5.2 표면 극소 기계 가공 = 238
9.5.3 LIGA 공정 = 239
9.6 공정 모의 실험 = 242
9.7 요약 = 247
참고 문헌 = 247
연습 문제 = 249
10장 IC 제조 = 251
10.1 전기적 시험 = 252
10.1.1 시험 구조 = 252
10.1.2 최종 시험 = 253
10.2 패키징 = 254
10.2.1 다이 분리 = 255
10.2.2 패키지 형태 = 256
10.2.3 배선 방법 = 258
10.3 통계적 공정 변수 제어 = 262
10.3.1 속성들을 위한 관리도 = 263
10.3.2 변수를 위한 관리도 = 265
10.4 통계적 실험 계획법 = 268
10.4.1 비교 분포 = 268
10.4.2 분산 분석 = 270
10.4.3 인수 계획법 = 272
10.5 수율 = 276
10.5.1 기능상 수율 = 277
10.5.2 매개 변수상 수율 = 281
10.6 컴퓨터 통합 생산 = 283
10.7 요약 = 284
참고 문헌 = 284
연습 문제 = 285
11장 미래의 추세와 도전 = 287
11.1 집적화를 위한 시도 = 287
11.1.1 매우 얇은 접합 형성 = 289
11.1.2 극단적으로 얇은 산화막 = 289
11.1.3 규소 화합물 형성 = 289
11.1.4 상호 연결을 위한 새로운 물질 = 289
11.1.5 전력 제한 요소들 = 290
11.1.6 SOI 집적 = 290
11.2 SOC = 291
11.3 요약 = 292
참고 문헌 = 292
연습 문제 = 293
부록 A 기호 목록 = 295
부록 B 단위(SI 단위) = 297
부록 C 단위용 접두어 = 299
부록 D 그리스 문자 = 301
부록 E 물리학적 상수 = 303
부록 F 절대 온도 300도에서 Si와 GaAs의 특성 = 305
부록 G 오차 함수 특성 = 307
부록 H 가스의 기본적인 운동 이론 = 311
부록 I SUPREM 명령문 = 313
부록 J PROLITH 수행 = 317
부록 K t분포의 백분율 소수점 = 319
부록 L F분포의 백분율 소수점 = 321
찾아보기 = 327
