제1장 전자의 성질
1.1 전자의 발견 = 11
1.2 전자의 전하와 질량 = 14
1.3 아인슈타인의 이론 = 21
1.4 전자볼트 = 25
1.5 전계 및 자계 안에서의 전자운동 = 26
1.5.1 균등전계 안에서의 전자운동 = 26
1.5.2 음극선관 = 28
1.5.3 균등자계 안에서의 전자운동 = 30
연습문제 = 33
제2장 원자의 구조
2.1 양극선 = 35
2.2 원자핵의 존재 = 39
2.3 입자성 = 41
2.3.1 에너지양자 = 41
2.3.2 광전효과 = 45
2.3.3 콤프톤 효과 = 48
2.4 보어(Bohr)의 원자이론 = 51
2.4.1 조머펠드의 타원궤도 = 60
2.4.2 파울리의 배타율(원리) = 66
2.5 전자의 파동성 = 68
2.5.1 슈레딩거의 파동방정식 = 70
2.5.2 터널효과 = 72
2.5.3 불확정원리 = 73
연습문제 = 76
제3장 분자와 화학결합력
3.1 분자의 형성 = 77
3.1.1 반 데르 발스의 힘과 분자결정 = 79
3.1.2 공유결합과 공유결합결정 = 80
3.1.3 이온결합과 이온결정 = 83
3.1.4 금속결합과 금속결정 = 85
3.1.5 수소결합과 수소결합결정 = 86
3.2 기체분자의 운동 = 88
3.2.1 자유행정 = 91
3.2.2 맥스웰 속도분포 = 92
연습문제 = 94
제4장 고체와 결정
4.1 결정구조 = 96
4.2 단위격자 안의 위치좌표 표시 = 97
4.3 격자방향과 격자면 표시 = 99
4.3.1 밀러지수 = 99
4.3.2 브랙(Bragg)의 반사 = 101
4.4 불완전결정 = 103
4.5 고체 안의 전자 = 105
4.5.1 고체에서 원자의 열운동 = 105
4.5.2 에너지대 형성 = 107
4.5.3 에너지대 구조 = 110
4.5.4 홀(Hall) 효과 = 111
연습문제 = 114
제5장 반도체
5.1 분포함수 = 117
5.2 진성 반도체 = 120
5.2.1 상태밀도 = 120
5.2.2 캐리어밀도 = 122
5.2.3 페르미준위 = 124
5.2.4 캐리어밀도의 온도의존성 = 124
5.3 불순물반도체 = 127
5.3.1 불순물준위 = 127
5.3.2 캐리어밀도와 페르미준위 = 129
5.3.3 np곱의 일정성 = 132
5.4 드리프트운동과 확산운동 = 133
5.4.1 전계 안에서의 드리프트운동 = 134
5.4.2 확산운동 = 136
5.4.3 반도체의 도전현상 = 138
5.5 캐리어의 재결합 = 139
5.5.1 재결합중심과 포획중심 = 140
5.5.2 직접재결합 = 140
연습문제 = 142
제6장 pn 접합
6.1 합금접합과 성장접합 = 145
6.2 열평형상태에서의 pn접합 = 147
6.2.1 공간전하영역 = 148
6.2.2 접촉전위차 = 150
6.2.3 에너지대 구조 = 151
6.2.4 pn접합 이론 = 152
6.3 Poisson의 방정식 = 154
6.3.1 전계분포 = 155
6.3.2 전위분포 = 156
6.3.3 공간전하여영역의 폭 = 157
6.4 pn접합에서 바이어스전압의 효과 = 159
6.4.1 에너지대 구조 = 159
6.4.2 공간전하영역의 변화 = 161
6.4.3 접합의 법칙 = 163
6.5 금속과 반도체의 접촉 = 165
6.5.1 ＞ φs 인 경우의 접촉 = 166
6.5.2 ＞ φs 인 경우의 접촉 = 167
6.6 반도체의 표면장벽 = 168
연습문제 = 171
제7장 pn다이오드의 전기적 특성
7.1 pn다이오드의 동작 = 173
7.1.1 순바이어스일 때의 pn다이오드 = 173
7.1.2 역바이어스일 때의 pn다이오드 = 176
7.2 pn다이오드의 해석 = 178
7.2.1 연속방정식 = 178
7.2.2 확산방정식 = 179
7.2.3 과잉캐리어밀도 = 180
7.2.4 다이오드전류 = 182
7.2.5 다이오드전류와 과잉축적전하 = 182
7.3 pn다이오드의 정특성 = 183
7.3.1 역포화전류의 온도의존성 = 187
7.3.2 순방향전류의 온도의존성 = 188
7.4 다이오드의 동작 = 190
7.4.1 다이오드의 소신호동작 = 191
7.4.2 동저항 = 191
7.4.3 다이오드 용량 = 193
7.4.4 확산용량과 소신호저항과의 관계 = 196
7.5 pn접합에서의 항복현상 = 198
7.5.1 애벌란치항복 = 198
7.5.2 제너항복 = 200
7.5.3 터널효과에 의한 부성저항 = 201
연습문제 = 204
제8장 트랜지스터
8.1 트랜지스터의 구조 = 205
8.2 트랜지스터의 동작원리 = 208
8.2.1 전류증폭률 = 209
8.2.2 에미터효율 = 211
8.3 이상적 트랜지스터의 특성 = 211
8.3.1 경계면에서의 소수캐리어밀도 = 212
8.3.2 중성영역에서의 소수캐리어밀도 = 213
8.3.3 에미터전류 및 콜렉터전류 = 214
8.3.4 Ebers-Moll의 식 = 215
8.3.5 고주파특성 = 219
8.4 전계효과 트랜지스터 = 222
8.4.1 접합형 FET(junction FET)의 동작원리 = 222
8.4.2 접합형 FET의 특성 = 225
8.5 MOS형 전계효과 트랜지스터 = 227
8.5.1 MOS FET의 동작원리 = 227
8.5.2 MOS의 전압-전류특성 = 229
8.5.3 MOS FET의 분류 = 235
연습문제 = 236
제9장 반도체 응용소자
9.1 전자효과 = 237
9.2 광도전소자 = 239
9.2.1 CdS셀 = 241
9.2.2 포토 다이오드 = 242
9.2.3 포토 트랜지스터 = 244
9.2.4 태양전지 = 245
9.2.5 발광다이오드 = 247
9.3 반도체저항기 = 249
9.3.1 더미스터 = 249
9.3.2 바리스터(varister, variable resistor) = 251
9.4 스위칭 소자 = 252
9.4.1 다이리스터 = 252
9.4.2 단접합트랜지스터 = 255
9.5 레이저 = 258
연습문제 = 261
제10장 유전체 및 자성체
10.1 정전계에서의 유전체 = 263
10.1.1 정전용량과 비유전율 = 264
10.1.2 전기분극현상 = 265
10.1.3 전기분극의 기구 = 266
10.2 교번전계에서의 유전체 = 273
10.2.1 교번전계에서의 유전율 = 273
10.2.2 교번전계에서의 전기분극 = 275
10.3 강유전체의 성질 = 279
10.3.1 초전효과 = 280
10.3.2 압전효과 = 281
10.3.3 강유전재료 = 281
10.4 정자계에서의 자성체 = 282
10.4.1 자계의 세기 = 283
10.4.2 자기모멘트 = 283
10.4.3 자기쌍극자에 의한 자계 = 284
10.5 물질의 자화 = 285
10.6 교번자계와 자성 = 288
10.6.1 라머의 세차운동 = 288
10.6.2 전자스핀 공명 = 289
10.6.3 교번자계와 강자성 = 291
10.6.4 강자성체의 자화곡선 = 293
10.6.5 강자성 재료 = 295
연습문제 = 296
제11장 집적회로기술
11.1 모노리딕 IC제조법 = 299
11.2 MOS IC의 제조법 = 303
11.3 불순물의 확산법 = 304
11.3.1 확산로 = 304
11.3.2 확산방정식 = 305
연습문제 = 308
찾아보기 = 309
