목차
제1장 서론 = 1
1. 연구의 목적과 필요성 = 1
2. 연구 방법 = 2
제2장 기술동향 분석 = 5
1. 반도체 개요 = 6
가. 반도체 정의 및 종류 = 6
나. 반도체 기술발전 및 최근 추세 = 8
2. 차세대 반도체 기술 동향 = 12
가. 실리콘 반도체 소자의 한계 = 13
나. High-k gate dielectrics 및 Metal gate electrode = 17
다. Double-gate field effect transistors(DGFET) = 24
라. Strained-silicon field effect transistors(SSFET) = 42
마. 1차원 나노구조체를 이용하는 나노디바이스 = 47
3. 대표적 기술개발 사례 = 59
가. Fin-Channel-Array Transistor(FCAT) 기술 = 59
나. High-k gate 유전체를 탑재한 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 기술 = 61
다. 실리콘 Nanowire crossbar array를 이용한 Address decoder 제조 기술 = 62
제3장 기술정보 분석 = 65
1. 문헌정보 분석 = 65
가. 분석 대상 DB와 검색 조건 = 65
나. 전체 반도체 관련 문헌 추이 분석 = 66
다. 요소기술별 문헌 분석 = 76
2. 특허정보 분석 = 86
가. 분석 대상 DB와 검색 조건 = 86
나. 전체 반도체 관련 특허 추이 분석 = 87
다. 요소기술별 특허 분석 = 89
제4장 산업 시장 동향 분석 = 113
1. 반도체 시장 동향 및 전망 = 113
가. 세계 반도체 시장 개황 = 113
나. 국내 반도체 시장 동향 = 115
다. 반도체 시장 전망 = 116
2. 반도체 기술 발전 예측을 통한 산업／시장 전망 = 119
가. 반도체 기술 발전 전망 = 119
나. 실리콘 메모리 반도체의 시장 전망 = 123
다. 차세대 나노반도체의 향후 전망 = 124
제5장 결론 = 127
참고문헌 = 131
