목차
제1장 서론 = 1
1. 연구의 목적과 필요성 = 1
가. 연구의 배경과 필요성 = 1
나. 연구의 목적 = 3
제2장 기술동향 및 전망 = 5
1. 기술 개요 = 5
2. 메모리 반도체 특성 및 연구개발 동향 = 7
가. FeRAM = 9
나. MRAM = 14
다. PRAM = 18
라. Emerging Memorys = 20
(1) Polymer RAM(PoRAM) = 20
(2) SET-RAM = 22
(3) CNT RAM = 24
마. 메모리반도체의 특성 비교 = 26
3. 메모리장치의 특성 및 연구개발동향 = 28
제3장 정보 분석 = 31
1. 특허정보 분석 = 31
가. 정보분석 대상 DB와 검색조건 = 31
나. 특허정보 분석 = 32
(1) FeRAM의 특허검색 결과 = 32
(2) MRAM의 특허검색 결과 = 35
(3) Phase Change RAM의 특허검색 결과 = 37
(4) Polymer memory의 특허검색 결과 = 39
(5) Single Electron Memory의 특허검색 결과 = 41
(6) Nano Memory의 특허검색 결과 = 43
(7) Millipede의 특허검색 결과 = 44
(8) 각 국가의 특허동향 분석 = 45
2. 문헌정보 분석 = 51
가. 정보 분석대상 DB와 검색조건 = 51
나. 문헌정보 분석 = 51
제4장 산업시장 동향 분석 = 53
1. 반도체 및 메모리 산업의 개요 = 53
2. 세계 반도체 시장 현황 = 55
3. 차세대 메모리 양산화 전망 = 57
제5장 결론 = 59
참고문헌 = 61
