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차세대메모리 : 비휘발성 메모리 동향 및 가능성

차세대메모리 : 비휘발성 메모리 동향 및 가능성 (Loan 6 times)

Material type
단행본
Personal Author
김기일 홍성화 류상옥
Corporate Author
한국과학기술정보연구원
Title Statement
차세대메모리 : 비휘발성 메모리 동향 및 가능성 / 김기일 , 홍성화 , 류상옥.
Publication, Distribution, etc
서울 :   한국과학기술정보연구원,   2005.  
Physical Medium
52 p. : 삽도 ; 24 cm.
Series Statement
2005년 미래유망 사업화 아이템분석 ;BA425
ISBN
8958844450
Bibliography, Etc. Note
참고문헌: p. 51-52
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910 ▼a KISTI
910 ▼a Korea institute of science and technology information
945 ▼a KINS

Holdings Information

No. Location Call Number Accession No. Availability Due Date Make a Reservation Service
No. 1 Location Science & Engineering Library/Sci-Info(Stacks1)/ Call Number 621.38152 2005v Accession No. 121144313 (6회 대출) Availability Available Due Date Make a Reservation Service B M

Contents information

Table of Contents


목차
제1장 서론 = 1
 1. 개념 및 필요성 = 1
 2. 연구 방법 = 2
제2장 선정 과정 = 3
 1. 유망아이템 발굴/평가 프로세스 = 3
  가. 프로세스 설계의 배경 = 3
  나. 정성적 프로세스 = 5
  다. 정량 - 정성적 프로세스 = 8
 2. 차세대메모리의 선정과정 = 12
  가. 유망아이템 후보군의 도출 = 12
  나. 차세대메모리의 유망성 평가 = 15
제3장 산업 시장 분석 = 19
 1. 개요 및 특성 = 19
  가. 비휘발성 메모리의 필요성 = 19
  나. 메모리의 요구 조건 = 20
  다. 플래시 메모리 = 22
  라. 플래시 메모리의 문제점 = 24
 2. 동향 및 전망 = 25
  가. 기술 동향 = 25
  나. 산업 동향 = 33
  다. 수요 추세 = 35
  라. 세계 메모리 시장의 전망 = 37
제4장 이슈 분석 = 39
 1. 기술 이슈 = 39
  가. 강유전체 메모리(FeRAM) = 39
  나. 자기저항 메모리(MRAM) = 40
  다. 상변화 메모리(PRAM) = 41
 2. 비휘발성 메모리 가능성 = 42
제5장 결론 = 49
참고문헌 = 51


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