제출문=1,2,1
보고서 초록=2,3,1
요약문=3,4,7
Summary=10,11,9
Contnets=19,20,1
목차=20,21,3
제1장 연구 개발 과제의 개요=23,24,3
제2장 국내외 기술개발 현황=26,27,1
제1절 국외의 연구개발 환경변화=26,27,3
제2절 국내의 연구개발 환경변화=29,30,2
제3장 연구개발 수행 내용 및 수행결과=31,32,1
제1절 UV-Source Assisted PECVD System 개발=31,32,1
1. UV-Source Assisted PECVD System 개발=31,32,4
2. UV-Source Assisted PECVD 플라즈마 특성=34,35,21
3. Microwave에 의한 UV-Light Source 개발=55,56,24
제2절 300 mm 대면적ㆍ고밀도 Plasma Source 개발 및 특성 분석=79,80,1
1. VHF Type Plasma Source 개발=79,80,4
2. VHF-ICP Type 300 mm Plasma Source의 특성=82,83,13
제3절 Photo CVD용 플라즈마 진단 System 개발=95,96,1
1. Single Langmuir Probe System 개발 개요=95,96,1
2. Langmuir Probe System 측정회로 구성=95,96,7
제4절 대면적ㆍ고밀도 PECVD에 의한 Nano-Pore구조를 갖는 저유전 SiOC(-H) 박막형성과 특성=102,103,1
1. SiOC(-H) 박막형성=102,103,6
2. 반응기체별 증착 조건에 따른 플라즈마 밀도와 온도분석=108,109,8
3. 반응 기체별 증착조건에 따른 활성종 분포분석=116,117,5
4. SiOC(-H) 박막의 증착속도 및 균일도 분석=121,122,21
5. SiOC(-H) 박막의 물리ㆍ화학적 결합 구조 특성=142,143,19
6. SiOC(-H) 박막의 Bonding Angle과 Chain Structure=161,162,5
7. XPS에 의한 SiOC(-H) 박막의 성분원소 결합상태=166,167,13
8. SiOC(-H) 박막의 유전상수=179,180,6
9. SiOC(-H) 박막의 유전상수의 성분변화=185,186,12
10. MIS 구조에서의 SiOC(-H) 박막의 I-V 전기적 특성=197,198,6
11. MIS (Al/SiOC(-H))/p-Si(100) 구조에서 계면의 전기적 특성=203,204,3
12. Nano-Pare 구조를 갖는 SiOC(-H) 바깥의 기계적 특성=206,207,7
13. SiOC(-H) 박막의 CMP 특성=213,214,4
14. SiOC(-H) 박막의 Nano-Pore 특성=217,218,12
제5절 XRR에 의한 SiOC(-H) 박막 전자밀도와 Porosity분석=229,230,1
1. SiOC(-H) 박막에 대한 XRR 측정=229,230,3
2. SiOC(-H)박막의 Porosity=232,233,2
제6절 TOF-ERD에 의한 SiOC(-H) 박막 밀도와 조성비 분석=234,235,9
제7절 UV-Source Assisted PECVD에 의한 SiOC(-H)박막형성과 특성=243,244,1
1. SiOC(-H) 박막형성=243,244,1
2. SiOC(-H) 박막의 물리ㆍ화학적 특성 결합특성=244,245,15
3. SiOC(-H) 박막의 기계적 특성=259,260,4
4. SiOC(-H) 박막의 전기적 특성=263,264,6
4. SiOC(-H) 박막의 균일도와 굴절률=269,270,3
제8절 Ashing 공정에 따른 SiOC(-H) 박막의 표면처리 효과=272,273,1
1. 플라즈마 표면 처리 전ㆍ후의 SiOC(-H) 박막의 물리ㆍ화학적 특성=272,273,5
2. 플라즈마 표면 처리 전ㆍ후의 SiOC(-H) 박막의 전기적 특성=277,278,4
제9절 TDDB에 의한 SiOC(-H) 박막의 신뢰성 분석=281,282,3
제4장 목표 달성도 및 관련분야에의 기여도=284,285,1
제1절 목표 달성=284,285,2
제2절 관련 분야에의 기여도=286,287,1
1. UV-Source Assisted PECVD System 개발 및 산업화=286,287,1
2. 300 mm 대면적ㆍ고밀도 Plasma Source 개발과 산업화=286,287,2
3. Photo CVD 용 플라즈마 진단장치 개발과 산업화=287,288,1
4. Nano-Pore 구조를 갖는 SiOC(-H) 박막의 물성과 공정개발=287,288,2
5. DRAM 이외의 Devices 적용될 Low-k 재료의 개발=288,289,1
6. Nano-Pore 구조를 갖는 Low-k 박막형성에 대한 원재료평가=288,289,1
제5장 연구 개발 결과의 활용계획 및 활용 가능성=289,290,1
제1절 UV-Assisted PECVD System 개발=289,290,1
제2절 Microwave에 의한 UV-Source 개발=290,291,1
제3절 DRAM 용 저유전율 재료의 확립=290,291,1
제4절 300 mm 웨이퍼용 대면적ㆍ고밀도 PECVD 개발=290,291,2
제5절 Nano-Pore 및 전기적 분석기술 구축=291,292,1
제6절 새로운 플라즈마 진단 기술 구축=291,292,2
제6장 연구개발 과정에서 수집한 해외과학기술정보=293,294,1
제1절 Cu/Low-k Integration=293,294,2
제2절 Low-k 절연재료=294,295,2
제7장 참고문헌=296,297,5
Fig. 71. Langmuir Probe System중측정회로의 구성도=98,99,1
Fig. 72. 실제 제작된 측정회로 사진=98,99,1
Fig. 188. CMP Test 결과 사진=215,216,1
