목차
제1부 박막과 그 응용
1장 박막재료
1.1 박막 = 13
1.2 박막의 특징 = 14
1.3 일렉트로닉스에의 응용 = 19
참고문헌 = 30
2장 박막의 형성과 평가
2.1 박막의 성장과 형성 조건 = 33
2.2 형성법의 분류와 특징 = 36
(1) 열증착 = 36
(2) 분자석 에피택시 = 38
(3) 스퍼터 = 40
(4) 이온 플레이팅 = 43
(5) 클러스터 이온빔 증착 = 43
(6) 화학적 기상 성장 = 44
(7) 유기 박막 = 46
2.3 형성법의 선택과 형성 조건 = 49
(1) 형성법의 선택 = 49
(2) 형성 조건과 기판 = 49
(3) 증착 재료 = 60
(4) 박막 형성장치 = 63
2.4 박막의 평가 = 66
참고문헌 = 67
3장 스퍼터 프로세스에서의 흥미로운 현상
3.1 단결정 박막의 저온 합성 = 71
3.2 고온 재료의 저온 합성 = 73
(1) SiC 박막 = 73
(2) PbTiO₃ 박막 = 76
3.3 저온 도핑 = 79
3.4 이상 구조의 동결 = 81
3.5 복합재료의 합성 = 85
3.6 다층 구조의 연속 형성 = 87
3.7 스퍼터 에칭 = 89
참고문헌 = 92
제2부 스퍼터의 기초와 응용
4장 스퍼터의 기초
4.1 스퍼터율과 그 변화 요소 = 95
(1) 이온 에너지의 스퍼터율 = 96
(2) 입사 이온과 타겟 원소 = 101
(3) 입사 각도와 스퍼터율 = 105
(4) 타갯 표면의 결정구조와 스퍼터율 = 107
(5) 합금의 스퍼터율 = 109
4.2 스퍼터 입자 = 112
(1) 스퍼터입자의 상태 = 112
(2) 스퍼터 입자의 속도와 평균 자유행정 = 113
4.3 스퍼터 기구 = 120
(1) 스퍼터 충돌의 양상 = 121
(2) 스퍼터 증발 = 123
참고문헌 = 130
5장 스퍼터 장치와 동작 특성
5.1 방전특성 = 134
(1) 냉음극 방전 = 134
(2) 자계 중의 방전 = 138
5.2 스퍼터 장치 = 142
(1) 직류 스퍼터 = 142
(2) 고주파 스퍼터 = 144
(3) 마그네트론 스퍼터 = 147
(4) 이온빔 스퍼터 = 152
(5) ECR 스퍼터 = 153
5.3 스퍼터 장치의 운용 = 154
(1) 타겟 = 154
(2) 스퍼터 가스 = 160
(3) 막 두께 분포 = 160
(4) 기판 온도 = 162
(5) 모니터 = 165
참고문헌 = 173
6장 화합물 박막과 스퍼터 증착
6.1 화합물 박막과 그 형성법 = 175
6.2 산화물 박막의 형성 = 190
(1) ZnO 압전 박막 = 190
(2) 복합 산화물 박막 = 207
(3) 투명 도전막 = 242
(4) SiO₂ 박막과 오프 엑시스 스퍼터 = 244
6.3 질화물 박막의 형성 = 246
(1) 질화 티타늄 = 246
(2) 복합 질화물 = 247
6.4 탄화물, 규화물 박막의 형성 = 248
(1) SiC 박막 = 249
(2) 다이아몬드 = 253
6.5 아몰퍼스 박막의 형성 = 258
(1) 아몰퍼스 LiNbO₃ 박막 = 260
(2) 아몰퍼스 SiC 박막 = 261
6.6 유기물 박막의 형성 = 262
6.7 초격자 구조의 형성 = 263
(1) 질화물 = 263
(2) 산화물 = 268
6.8 강자계 안의 스퍼터에 의한 화합물 박막의 형성 = 275
참고문헌 = 279
7장 박막 구조의 정밀 제어와 나노미터 재료
7.1 헤테로 에피택셜막의 미세 구조 = 288
7.2 미세 구조의 제어 = 293
(1) 기판 온도와 결정상 = 294
(2) 버퍼(buffer)층의 효과 = 296
(3) 냉각 속도 = 297
(4) 미스커터 기판 = 300
(5) 초격자 구조 = 308
7.3 나노미터 구조와 박막 프로세스 = 313
참고문헌 = 321
부록
1. 박막 실험의 기본 기법 = 325
(1) 기판 세척법 = 325
(2) 박막 전극 형성법 = 328
2. 진공ㆍ박막 관련 재료기술 자료 = 330
찾아 보기 = 345
