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| 100 | 1 | ▼a 류장렬 |
| 245 | 1 0 | ▼a 기초반도체공학 = ▼x Fundamental semiconductor engineering / ▼d 류장렬, ▼e 이부형, ▼e 권순석 공저. |
| 260 | ▼a 서울 : ▼b 형설출판사 , ▼c 2007. | |
| 300 | ▼a 418 p. : ▼b 삽도 ; ▼c 26 cm. | |
| 500 | ▼a 부록: 1. Symbol lists, 2. International system of lists, 3. Unit prefixes [외]. | |
| 504 | ▼a 참고문헌: p. 417-418 | |
| 700 | 1 | ▼a 이부형 |
| 700 | 1 | ▼a 권순석 |
| 900 | 1 1 | ▼a 유장렬 |
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Holdings Information
| No. | Location | Call Number | Accession No. | Availability | Due Date | Make a Reservation | Service |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| No. 1 | Location Science & Engineering Library/Sci-Info(Stacks1)/ | Call Number 621.38152 2007e2 | Accession No. 121157854 (33회 대출) | Availability Available | Due Date | Make a Reservation | Service |
Contents information
Book Introduction
반도체 공학은 대학에서 전자.정보 기술 분야를 전공하는 우리 절은 공학자들의 전문기초지식으로 습득해야 하는 중요한 과목의 하나라고 할 수 있다. 여러 종류의 디지털회로 및 전자회로의 해석 및 설계를 위해서는 반도체 재료와 소자에 관한 현상이나 원리를 학습하는 것이 필요하다고 본다. 그 동안 강의 경험을 바탕으로 얻은 지식을 기초로 반도체 소자 분야의 기초적인 내용으로 교재를 엮에 되었다.
이 책의 구성은 제1장은 반도체와 관련한 물성론의 개념을 이해하고, 제2장에서는 반도체의 결정, 제3장에서는 반도체의 재료, 제4장은 반도체에서 발생하는 여러 가지 전류, 제5장은 반도체의 에너지 밴드 이론, 제6장은 반도체의 PN접합, 제7장은 금속과 반도체의 접촉, 제8장은 트랜지스터, 제9장은 반도체의 제조공정, 제10장은 특수 반도체 소장 등으로 구성되어 기본적인 고체의 물리적 성질을 공부한 학생에게 기초적인 반도체공학으로 구성하였다.
Information Provided By: :
Author Introduction
류장렬(지은이)
인하대학교 공과대학 전자공학과를 졸업한 후, 석사와 공학박사학위를 받았습니다. 그 후 미국 배미지주립대학교와 일본 규슈대학교에서 수학했으며, 현재 공주대학교 공과대학 전기전자제어공학부 교수로 근무하고 있습니다. 관심 분야는 반도체공학 교육, LCD 부품, LED 효율 개선 관련 분야로, 이와 관련한 연구 개발을 진행 중에 있습니다. 이러한 일련의 연구를 수행하면서 국내외에 50여 편의 학술 논문을 발표하였고,《Advanced Semiconductor Engineering》,《Advanced Electronic Device Engineering》, 《Digital System Design using VHDL》 등의 책을 저술하였습니다.
Table of Contents
목차 제1장 물성론 제1절 소립자 = 15 1. 원자 = 15 2. 전자의 전하 = 20 3. 전자의 질량 = 20 4. 전자의 에너지 = 21 5. 전자의 힘 = 22 제2절 양자론의 기초 = 23 1. 양자 = 23 2. 입자의 파동성 = 24 3. 양자의 입자성 = 29 4. 보어(Bohr)의 원자 모형 = 32 5. 전자의 양자수 = 40 제3절 확률분포함수 = 44 제4절 페르미-디렉 분포함수 = 46 복습문제 = 52 연구문제 = 55 제2장 반도체의 결정 제1절 결정의 정의 = 61 제2절 결정의 종류 = 63 제3절 결정 구조 = 65 1. 단순입방격자 = 66 2. 면심입방격자 = 67 3. 체심입방격자 = 67 4. 다이아몬드형 결정 구조 = 68 5. 기타 결정구조 = 70 제4절 밀러 지수(Index) = 71 제5절 결정 결함(Defect) = 74 1. 정결함 = 74 2. 선결함 = 76 3. 면결함 = 77 제6절 결정 구조의 해석 = 77 복습문제 = 80 연구문제 = 83 제3장 반도체의 재료 제1절 도체·반도체·절연체 = 87 제2절 반도체의 특징 = 89 제3절 반도체의 특성과 기능 = 90 1. 원자의 기본 구조 = 90 2. 반도체의 구조 = 91 제4절 반도체의 종류 = 93 1. 실리콘 = 92 2. 진성 반도체 = 95 3. 불순물 반도체 = 97 제5절 반도체의 발전 과정 = 102 제6절 반도체 재료 = 104 제7절 반도체의 역할 = 107 1. 정류(整流) = 107 2. 증폭(增幅) = 107 3. 변환 및 전환 = 107 4. 저장 및 기억 = 108 5. 계산 및 연산 = 108 6. 제어 = 108 복습문제 = 109 연구문제 = 114 제4장 반도체의 에너지 밴드 제1절 공유결합과 에너지 밴드 = 117 1. 공유결합 = 117 2. 고체의 에너지 = 119 제2절 에너지갭 = 122 1. 에너지대 = 122 2. 에너지대와 전자·정공의 발생 = 124 제3절 간접 및 직접 천이형 반도체 = 125 제4절 불순불 반도체의 에너지대 = 128 1. N형 반도체의 에너지 구조 = 128 2. p형 반도체의 에너지 구조 = 128 복습문제 = 134 연구문제 = 136 제5장 반도체의 도전 현상 제1절 고체의 도전 현상 = 141 제2절 반도체의 드리프트 = 144 제3절 반도체의 전기전도 = 146 제4절 격자산란 = 148 제5절 불순물산란 = 151 제6절 홀 효과 = 152 제7절 확산운동 = 155 제8절 열대성과 재결합 = 157 제9절 과잉 소수 캐리어 = 161 1. 과잉 캐리어 농도 = 162 제10절 반도체의 캐리어 밀도 = 163 제11절 반도체의 페르미 준위 = 166 1. 진성 반도체 = 166 2. N형 반도체 = 167 복습문제 = 172 연구문제 = 174 제6장 반도체의 PN 접합 제1절 PN 접합 = 179 1. 공핍층 = 179 2. 접촉전위차 = 180 3. 공핍층의 전계 = 184 4. 전위분포 = 187 5. 공핍층의 폭 = 188 제2절 PN 접합 다이오드 = 190 1. 정류 특성 = 190 2. 공핍층영역의 변화 = 193 제3절 다이오드의 커패시터 = 194 1. 접합 커패시터 = 194 2. 공핍층 커패시터 = 195 제4절 항복 현상 = 198 1. 애벌란시 항복 = 199 2. 제너 항복 = 200 제5절 다이오드의 응용 = 201 1. 다이오드의 저항 = 201 2. 제너 다이오드 회로 = 203 3. 전파정류회로 = 205 4. 클리퍼와 클램퍼 = 206 복습문제 = 209 연구문제 = 212 제7장 금속과 반도체의 접촉 제1절 쇼트키 장벽 = 219 제2절 쇼트키 장벽 다이오드 = 223 1. 접합의 성질 = 223 2. 쇼트키 효과 = 225 3. 쇼트키 다이오드의 전류 = 226 4. 옴(Ohm)성 접촉 = 229 복습문제 = 231 연구문제 = 234 제8장 트랜지스터 제1절 바이폴러 트랜지스터 = 237 1. 점 접촉형 트랜지스터 = 237 2. 접합형 트랜지스터 = 238 3. 평면형 트랜지스터 = 239 4. NPNI PNP 트랜지스터 = 240 제2절 전계효과 트랜지스터 = 246 1. 전계효과 트랜지스터 = 246 2. 동작 = 249 3. MOSFET = 252 4. MOSFET의 특성 = 260 5. nMos 논리회로 = 268 6. CMOS(Complementary MOS) 소자 = 270 복습문제 = 276 연구문제 = 281 제9장 반도체의 제조공정 제1절 반도체의 재료 = 287 1. 웨이퍼 = 287 2. 마스크 = 293 3. 리드프레임 = 293 제2절 반도체 설비 = 294 1. 제조설비 = 294 2. 캐미컬 및 유틸리티 = 295 3. 반도체 수욜 = 296 제3절 반도체 제조공정 = 297 1. 반도체 제조의 기초 = 297 2. 웨이퍼 제조 및 회로설계 = 301 3. 웨이퍼 가공 = 304 4. 조립 및 검사 = 319 5. 패키징(Packaging) 공정 = 320 제4절 반도체 소자 제조방법 = 324 1. 바이폴러 트랜지스터 = 324 2. MOS 트랜지스터 = 325 3. nMOS 트랜지스터의 제조공정 = 326 4. CMOS 소자의 공정과 레이아웃 = 329 제5절 반도체 생산 = 340 1. 제조 라인 = 340 2. 청정실 = 342 복습문제 = 346 연구문제 = 350 제10장 특수반도체 소자 제1절 정전압 다이오드 = 355 제2절 광다이오드 = 357 제3절 광 트랜지스터(Phototransistor) = 358 제4절 발광다이오드 = 360 제5절 반도체 레이저 = 362 제6절 단일접합 트랜지스터 = 363 제7절 사이리스터 = 365 1. 실리콘 제어 정류기 = 365 2. 실리콘 제어 스위치(SCS) = 370 3. 다이액과 트라이액 = 371 4. 프로그래머블 단일접합 트랜지스터 = 373 5. SUS와 SBS = 375 제8절 집접회로 소자 = 376 1. 메모리 소자 = 376 2. 마이크로 소자 = 378 3. 기타 반도체 소자 = 379 제9절 정보 디스플레이 = 380 1. 디스플레이의 구성요소 = 381 2. 디스플레이의 개발 = 384 3. 디스플레이의 종류와 특성 = 386 복습문제 = 395 연구문제 = 400 부록 1. Symbol lists = 405 2. International system of lists = 406 3. Unit prefixes = 407 4. Greek alphabet = 408 5. Physical constants = 408 6. Properties of Ge, Si, GaAs at 300k = 409 7. Properties of SiO₂, Si₃N₄ at 300k = 410 8. Periodic table of the elements = 411