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반도체소자공학은 대학에서 반도체 분야를 전공하거나 이 분야의 산업에 종사하고자 하는 우리 젊은 공학자들의 전문 지식으로 반드시 습득해야 하는 중요한 과목의 하나라고 할 수 있다. 여러 종류의 반도체 소자의 설계 및 제조를 위해서는 반도체 소자에 관한 원리와 공정을 학습하는 것이 필요하다고 본다. 그 동안 강의 경험을 바탕으로 얻은 지식을 기초로 반도체 소자 분야에 관한 중급의 내용으로 교재를 엮게 되었다. 그 동안 반도체 기술 분야의 관련 입문서에서부터 전문기술서가 많이 출판되었으나, 이 교재에서는 이들을 총망라하여 한 권의 책으로 요약되도록 기술하였다. 반도체라고 하는 것을 효과적으로 학습할 수 있도록 최소한의 내용을 이해하기 쉽도록 요약하여 출간하였으며, 이 교재 구성은 다음과 같다.

제1장은 반도체의 기초 내용으로 반도체 재료와 관련한 특성, N형 및 P형 반도체, 에너지 밴드 이론 등 기초적인 내용을 서술하였다.
제2장에서는 반도체의 기본 소자로 PN 접합 다이오드, Bipolar 및 Unipolar 트랜지스터의 동작 원리를 기술하였다.
제3장에서는 반도체의 제조기술에 관한 내용과 집적회로의 설계, 웨이퍼 프로세스, 조립 프로세스 등을 학습하도록 엮었다.
제4장은 개별 반도체 소자 중에서 집적회로화가 어려운 Power Device에 초점을 맞추어 이들의 동작 원리, 특성, 용도 등을 학습하도록 엮었다.
제5장은 Analog IC의 설계 기법, 접합 구조 및 여러 종류의 Analog IC의 응용 분야를 기술하였다.
6장은 논리 IC의 기본 특성, 표준 논리 IC 계열, 각종 논리 IC의 기본구조 및 특징을 기술하였고, 마이크로프로세서의 구성과 기능, One Chip 마이크로 컴퓨터에 관하여 학습하도록 구성하였다.
제7장은 반도체 메모리의 기본 구성, 읽고, 쓰는 법, 각종 메모리의 구조, 동작 원리, 응용 분야 등을 기술하였다.
제8장에서는 최근 대체 에너지 확보 차원에서 폭넓게 사용하고 있는 광전 변환 소자 등 특수 반도체 소자에 대하여 학습하도록 구성하였다.
제9장에서는 최근 CRT 대체 디스플레이로 광범위하게 사용되고 있는 LCD, PDP, OLED 등의 소자에 대하여 학습하도록 구성하였다.

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목차
제1장 반도체의 기초 = 17
 제1절 반도체 재료 = 19
  1. 반도체의 분류 = 19
  2. 반도체의 특징 = 20
  3. 반도체의 특성과 기능 = 21
  4. 반도체의 성질 = 23
  5. 실리콘(silicon)과 갈륨비소(GaAs) = 24
  6. 진성 반도체 = 25
  7. N형과 P형 반도체 = 26
  8. 전자와 정공 =  = 28
 제2절 반도체의 결정 = 29
  1. 결정 = 29
  2. 결정의 종류 = 31
  3. 결정 구조 = 33
  4. 밀러 지수(miller index) = 38
  5. 에너지의 결합 = 41
 제3절 에너지 대 = 45
  1. 에너지 갭 = 45
  2. 에너지 대와 전자·정공의 발생 = 46
  3. 집적 및 간접 결합 반도체 = 47
  4. 불순물 반도체의 에너지 대 = 49
 제4절 반도체의 전류 = 56
  1. 반도체의 전기전도 = 57
  2. 격자산란 = 61
  3. 불순물 산란 = 63
  4. 홀 효과 = 64
  5. 확산 운동 = 66
  6. 열생성과 재결합 = 68
  7. 과잉 소수 캐리어 = 72
 복습문제 = 75
 연구문제 = 79
제2장 반도체의 기본 소자 = 83
 제1절 PN 접합 다이오드 = 85
  1. PN 접합의 형성 = 85
  2. 접촉전위차 = 87
  3. 공간 전하 영역 = 89
  4. 정류 특성 = 95
  5. 공간 전하 영역의 변화 = 97
  6. 다이오드의 접합 용량 = 99
  7. 절연 파괴 현상 = 104
 제2절 바이폴러 트랜지스터 = 110
  1. 구조와 동작 = 110
  2. 전류증폭 = 111
  3. 전류 성분 = 113
  4. 전류증폭률의 결정 = 116
  5. 이미터 접지 방식의 동작 = 118
  6. 트랜지스터에서 발생하는 현상 = 119
 제3절 MOS형 전계 효과 트랜지스터 = 123
  1. MOS 구조 = 123
  2. MOS 구조의 동작 = 124
  3. MOS 구조의 에너지 대 = 125
  4. MOSFET의 동작 = 131
  5. MOSFET의 특성 = 136
 제4절 MOSFET의 접지 방식 = 143
  1. 소스 공통 = 144
  2. 드레인 공통 = 145
  3. 게이트 공통 = 145
 제5절 CMOS의 특성 = 147
 복습문제 = 151
 연구문제 = 157
제3장 반도체의 제조 공정 = 159
 제1절 집적회로 기술 = 161
  1. 집적회로 기술의 발전 = 161
 제2절 집적회로의 제작 = 165
  1. 반도체 소자의 제조 개요 = 165
  2. 반도체 웨이퍼의 가공 = 166
 제3절 집적회로의 설계 = 168
  1. 설계의 흐름 = 169
  2. CAD의 역할 = 169
 제4절 웨이퍼 프로세스 = 172
  1. 웨이퍼 프로세스의 분류 = 172
  2. 프로세스의 단위 공정 = 173
  3. 웨이퍼 프로세서의 흐름 = 186
  4. MOS 소자의 프로세스 = 190
 제5절 조립 프로세스 = 200
  1. 조립 공정의 개요 = 200
  2. 조립 공정의 과정 = 202
 복습문제 = 205
 연구문제 = 209
제4장 개별 반도체 소자 = 210
 제1절 전력 소자(power device) = 213
 제2절 여러 가지 다이오드 = 214
  1. 검파기 = 214
  2. 정전압 다이오드 = 216
  3. 가변 용량 다이오드 = 218
  4. 건(Gunn) 효과 다이오드 = 219
  5. IMPATT 다이오드 = 223
  6. 제너 다이오드 = 224
 제3절 사이리스터 = 228
  1. PNPN 접합 = 228
  2. 실리콘 제어 정류기 = 229
  3. 실리콘 제어 스위치(SCS) = 234
  4. GTO 사이리스터 = 235
  5. DIAC과 TRIAC = 236
 제4절 바이폴러 트랜지스터의 특성 = 239
  1. 증폭회로 = 239
  2. 트랜지스터의 특성 = 246
 제5절 MOSFET의 회로 = 257
  1. 증폭회로 = 257
  2. MOS 논리 회로 = 258
  3. 전력용 MOSFET = 262
  4. IGBT의 구조와 특성 = 266
  5. 신뢰성 기술 = 270
 복습문제 = 273
 연구문제 = 276
제5장 아날로그 소자 = 279
 제1절 아날로그 IC = 281
  1. 여러 가지 분야에 적용 = 282
  2. 특정 분야에 적용 = 282
 제2절 아날로그 소자의 설계 = 283
  1. 기획과 사양 결정 = 283
  2. 회로 및 논리 설계 = 284
  3. 패턴 레이아웃 설계 = 285
  4. 평가 공정 = 286
 제3절 아날로그 IC의 구조 = 287
  1. 소자 간 분리 = 287
  2. 저항 = 290
  3. 커패시터(capacitor) = 291
 제4절 MOS형 아날로그 IC = 292
 제5절 BiCMOS의 프로세스 = 294
  1. BiCMOS 프로세스의 특징 = 294
  2. BiCMOS의 구조와 종류 = 294
 제6절 아날로그 IC의 응용 = 295
  1. 바이폴러 아날로그 IC = 296
  2. CMOS 아날로그 IC = 297
  3. BiCMOS 아날로그 IC = 305
 복습문제 = 308
 연구문제 = 312
제6장 논리 소자 = 313
 제1절 논리 IC의 기본적인 특성 = 315
  1. 전달 특성 = 315
 제2절 표준 논리 IC = 318
  1. DTS(Diode Transistor Logic) = 319
  2. TTL = 320
  3. MOS 논리 IC = 324
  4. BiCMOS(Bipolar+CMOS) = 328
  5. ECL = 329
 제3절 반주문형 IC = 333
  1. PLD／FPGA = 333
  2. 게이트 어레이 = 335
  3. 셀 기반의 IC = 337
 제4절 완전 주문형 논리 IC = 338
 제5절 마이크로프로세서 = 338
  1. 마이크로프로세서의 이해 = 338
  2. 마이크로프로세서의 CPU 구조 = 340
  3. 1칩 마이크로컴퓨터 = 350
 복습문제 = 352
 연구문제 = 355
제7장 반도체 메모리 = 357
 제1절 메모리의 발전과 분류 = 359
  1. 메모리의 발전 = 359
  2. 메모리의 분류 = 359
  3. 메모리의 종류와 기능 = 361
 제2절 메모리의 구성 = 365
  1. 커패시터와 디지털 회로의 이해 = 365
  2. 메모리IC의 핀(pin) = 367
  3. 메모리의 기본 구성 = 368
  4. 패키지의 소형화 = 371
 제3절 메모리의 동작 = 372
  1. DRAM의 동작 = 373
  2. SRAM의 동작 = 382
  3. 마스크 ROM의 동작 = 386
  4. PROM의 동작 = 389
 제4절 메모리의 응용 분야 = 399
  1. 컴퓨터와 메모리의 관계 = 399
  2. 반도체 메모리의 비교 = 399
  3. 메모리의 응용 = 401
 복습문제 = 403
 연구문제 = 407
제8장 특수 반도체 소자 = 409
 제1절 광 다이오드 = 411
 제2절 광 트랜지스터 = 412
 제3절 발광다이오드 = 414
  1. 발광다이오드의 용도 = 414
  2. 발광다이오드의 구조 = 415
  3. 7-세그먼트 LED 디스플레이 = 418
 제4절 태양전지 = 420
  1. 태양 전지의 용도 = 420
  2. 태양 전지의 종류 및 구조 = 421
 제5절 반도체 레이저 = 423
  1. 반도체 레이저의 용도 = 424
  2. 반도체 레이저의 구조 = 424
 제6절 단일접합 트랜지스터 = 425
 제7절 프로그래머블 단일 접합 트랜지스터 = 427
 제8절 SUS와 SBS = 429
 복습문제 = 430
 연구문제 = 432
제9장 정보 디스플레이 소자 = 435
 제1절 정보 디스플레이의 개요 = 437
  1. 디스플레이의 구성 요소 = 437
  2. 디스플레이의 개발 = 440
  3. 디스플레이의 종류와 특성 = 443
 제2절 액정 디스플레이(LCD) = 451
  1. 액정(liquid crystal)의 종류 = 451
  2. 액정의 표시 = 456
 제3절 액정 재료 = 459
  1. 액정 분자의 기본 구조 = 459
  2. 디스플레이와 액정 재료 = 460
  3. STN 액정 재료 = 462
  4. TFT 액정 재료 = 463
  5. 강유전성 액정과 반강유전성 액정 재료 = 464
  6. 액정디스플레이의 용도 = 467
 제4절 액정의 동작 = 468
  1. 액정 분자의 배열 = 468
  2. 액정의 전압 응답 = 471
  3. 프리틸트 각 = 472
  4. TN 모드 = 474
  5. 액정의 편광 = 476
  6. 매트릭스 표시 = 479
  7. 액정의 표시 방법 = 482
  8. 능동형 매트릭스 표시의 구조 = 484
  9. TFT의 구조 = 486
  10. TFT의 제조 방법 = 488
  11. 컬러 표시의 구조 = 490
  12. 액정 패널 = 493
  13. 박형(薄型) 후면광(後面光) = 497
  14. 액정 디스플레이의 전체 구성 = 498
  15. 표시 성능 = 500
 제5절 플라스마 디스플레이 = 501
  1. 동작 원리 = 502
  2. 구성 요소 및 재료 = 506
 복습문제 = 508
 연구문제 = 512
부록 = 513
복습문제 해답 = 523
참고문헌 = 531
찾아보기 = 533