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오늘날 반도체를 이용한 소자 제조 기술이 날로 발달하여 이를 이용한 응용 분야가 급격히 확대되고 있다. 따라서 미래의 전기, 전자 산업은 고밀도, 고품질, 고정밀도의 반도체 소자 개발에 그 성패가 달려 있다고 해도 과언이 아니게 되었다. 그 결과 산업현장에서는 물론 연구실에서도 반도체 소자에 대한 다양하고 풍부한 지식을 가진 학생들을 필요로 하는 실정이다.

이 책은 반도체 물성의 이해를 돕기 위해 다음 사항에 역점을 두어 기술하였다.
첫째, 고체의 미시적이고, 양자적인 성질의 이해를 돕기 위해 현대 물리학의 개념을 많이 도입하였다.
둘째, 반도체의 물리적?전기적 특성을 정량적, 정성적으로 기술하였다.
셋째, 다이오드, 트랜지스터 및 집적 회로의 제조 공정과 Si과 화합물 반도체의 특성을 비교 설명하였다.
넷째, 부품 소자들의 물리적?전기적 특성을 다룸으로써 이 부품들의 용도에 대한 충분한 지식과 활용을 가능하게 하였다.

정보제공 :

목차
01장 원자 이론 
 1.1 원자(atom) = 14 
 1.2 보어(Bohr)의 원자 모형 = 16 
 1.3 원자의 에너지 준위 = 20 
 1.4 파울리의 배타원리(Pauli's exclusion principle) = 23 
 1.5 원자의 결합 = 24 
 1.6 결정 구조 = 29 
 1.7 에너지 밴드 = 37 
02장 반도체 이론 
 2.1 반도체(Semiconductor) 재료 = 44 
 2.2 자유 전자(Free electron)와 정공(Hole) = 47 
 2.3 진성(Intrinsic) 반도체와 불순물(Extrinsic) 반도체 = 49 
  1. 진성 반도체 = 49
  2. 불순물 반도체 = 56
 2.4 반도체의 전자 분포 = 72 
  1. Fermi-Dirac 분포함수 = 74
  2. Maxwell-Boltzmann 분포함수 = 76
 2.5 반도체의 전기적 성질 = 77 
  1. 전계 내 캐리어 운동 = 77
  2. 확산 운동 = 83
  3. 소수 캐리어의 수명 = 85
  4. 홀 효과(Hall effect) = 88
  5. 전류 밀도 = 91
03장 반도체 단위 공정 
 3.1 실리콘 단결정 성장 = 94 
  1. 웨이퍼 제조 과정 = 94
  2. 플로팅 존 방법(floating zone method) = 94
  3. 인상 방법(pulling method) = 94
 3.2 반도체 공정 기술 = 96 
  1. 산화(oxidation) 공정 = 96
  2. 확산(diffusion) 공정 = 99
  3. 이온 주입(ion implantation) 공정 = 106
  4. 화학 기상 증착 공정 = 108
  5. 사진 식각 공정(lithography) = 116
  6. 식각(etching) 공정 = 121
  7. 금속화(metalization) 공정 = 123
  8. 패키지(package) 공정 = 124
04장 pn 접합 
 4.1 제조 방법에 따른 pn 접합 = 130 
  1. 합금 접합(alloy junction) = 130
  2. 성장 접합(grown junction) = 132
  3. 확산 접합(diffused junction) = 133
 4.2 열평형 상태의 pn 접합 = 134 
  1. 공간 전하 영역의 형성 = 134
  2. 접촉 전위차 = 136
  3. 공핍층의 전계 분포 = 140
  4. 공핍층의 전위 분포 = 142
  5. 공간 전하 영역 폭 = 144
  6. 공핍층의 정전 용량 = 145
  7. pn 접합에 대한 바이어스 전압 효과 = 148
 4.3 헤테로 접합 = 153 
05장 pn 접합 다이오드 
 5.1 이상적 pn 접합 다이오드 = 158 
  1. 바이어스 전압에 따른 전류 특성 = 159
  2. 전류-전압 특성 = 169
  3. 온도 특성 = 171
 5.2 실제 회로에서의 pn 접합 다이오드 = 173 
  1. 전류-전압 특성 = 173
  2. 온도 특성 = 174
  3. 다이오드 저항 = 177
  4. 확산 용량 = 184
  5. 다이오드의 스위칭 동작 = 187
  6. 항복 현상 = 189
 5.3 금속과 반도체의 접촉 = 196 
  1. 금속과 금속의 접촉 = 196
  2. 금속과 반도체의 접촉 = 199
 5.4 MIS 구조 = 209 
  1. 표면 준위 = 209
  2. MIS 구조 = 211
06장 각종 다이오드
 6.1 제너 다이오드 = 216 
  1. 제너 항복 = 217
  2. 항복 특성 = 217
  3. 온도계수 = 218
  4. 등가 회로 = 220
  5. 다이오드의 용량 = 221
  6. 순방향 바이어스 특성을 이용한 전압 기준용 다이오드 = 222
  7. 온도 보상 전압 기준 다이오드 = 222
 6.2 터널 다이오드 = 222 
  1. 에너지대 구조와 전류-전압 특성 = 223
  2. 터널 다이오드의 정특성 = 226
  3. 특성의 온도 변화 = 227
  4. 소신호 모델 = 228
  5. 터널 다이오드의 이용 = 228
 6.3 쇼트키 다이오드 = 231 
 6.4 가변 용량 다이오드 = 232 
 6.5 발광 다이오드 = 238 
 6.6 광 다이오드 = 246 
 6.7 임팩트 다이오드 = 250 
 6.8 건 다이오드 = 253 
 6.9 레이저 다이오드 = 256 
  1. 레이저의 원리 = 257
  2. 반도체 레이저 = 258
07장 쌍극성 접합 트랜지스터 
 7.1 트랜지스터의 구조 = 266 
 7.2 트랜지스터의 동작 = 268 
  1. 평형 상태인 경우 = 268
  2. $$V_{EB}$$＝0, $$V_{CB}$$CB〈0인 경우 = 268
  3. $$V_{EB}$$〉0, $$V_{CB}$$〈0인 경우 = 270
  4. 트랜지스터의 동작 모드 = 270
 7.3 접지 형식 = 272 
  1. 공통 베이스 회로 = 273
  2. 공통 이미터 회로 = 277
  3. 공통 컬렉터 회로 = 282
 7.4 이상적 트랜지스터의 해석 = 284 
  1. 접합 트랜지스터의 조건 = 284
  2. 경계면에서의 소수 캐리어 농도 = 285
  3. 중성 영역에서의 소수 캐리어 농도 = 285
  4. 이미터 전류 및 컬렉터 전류 = 289
  5. Ebers-Moll 회로 모델 = 292
  6. 컬렉터 역포화 전류 = 298
  7. 전류 증폭률 = 300
  8. 하이브리드 모델 = 302
 7.5 실제의 트랜지스터 = 305 
  1. 베이스 분포 저항 = 305
  2. 베이스 폭 변조 = 306
  3. 접합의 항복 = 308
  4. 트랜지스터의 최대 정격 = 311
 7.6 트랜지스터의 주파수 특성 = 313 
 7.7 트랜지스터의 스위칭 특성 = 316 
  1. 지연 시간 = 318
  2. 상승 시간 = 318
  3. 축적 시간 = 319
  4. 하강 시간 = 320
  5. turn on 시간 = 320
  6. turn off 시간 = 320
 7.8 각종 트랜지스터 = 320 
  1. 파워 트랜지스터 = 320
  2. 드리프트 트랜지스터 = 323
  3. 고주파 트랜지스터 = 325
  4. 스위칭 트랜지스터 = 329
08장 전계효과 트랜지스터 
 8.1 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET) = 334 
  1. JFET의 기본 구조 = 334
  2. JFET의 동작 특성 = 337
 8.2 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) = 354 
  1. MOSFET의 기본구조 = 354
  2. MOSFET의 동작 = 357
  3. MOSFET의 특성 = 363
09장 집적회로
 9.1 집적회로의 종류 = 382 
  1. 구조에 따른 분류 = 382
  2. 능동 소자에 따른 분류 = 384
  3. 기능에 따른 분류 = 385
  4. 집적도에 따른 분류 = 385
 9.2 집적회로의 특징 = 387 
  1. 소형화, 경량화 = 387
  2. 저가격화 = 387
  3. 고신뢰화 = 389
  4. 고속화, 고주파화 = 389
  5. 저전력화 = 390
 9.3 바이폴라 집적회로 = 390 
  1. 바이폴라 IC용 소자 = 390
  2. 바이폴라 IC의 분리 방식 = 395
  3. 바이폴라 집적회로 공정 = 398
 9.4 MOS 집적회로 = 402 
  1. MOS IC의 구성 소자 = 402
  2. MOS 집적회로의 분리 = 403
  3. MOS 집적회로의 구성 = 405
  4. MOS 집적회로 공정 = 409
 9.5 메모리용 집적회로 = 411 
  1. 메모리 셀 = 411
  2. 비휘발성 메모리 = 416
 9.6 전하 전송 소자 = 419 
부록 
 1. 물리량의 단위 = 424 
 2. 단위의 환산 = 425 
 3. 승수 = 426 
 4. 그리스 문자 = 426 
 5. 물리상수 = 427 
찾아보기 = 429