목차
제1장 물성론
제1절 소립자 = 17
1. 원자 = 17
2. 전자의 전하 = 22
3. 전자의 질량 = 22
4. 전자의 에너지 =23
5. 전지의 힘과 가속도 = 24
6. 전자의 속도 = 25
제2절 양자론의 기초 = 27
1. 양자 = 27
2. 입자의 파동성 = 28
3. 양자의 입자성 = 33
4. 보어(Bohr)의 원자 모형 = 36
5. 전자의 양자수 = 45
제3절 확률분포함수 = 49
제4절 페르미-디렉 분포함수 = 53
복습문제 = 62
연구문제 = 65
제2장 반도체의 결정
제1절 결정의 정의 = 71
제2절 결정의 종류 = 73
제3절 결정 구조 = 75
1. 단순입방격자 = 76
2. 면심입방격자 = 77
3. 체심입방격자 = 77
4. 다이아몬드형 결정 구조 = 78
5. 기타 결정 구조 = 80
제4절 밀러 지수 = 81
제5절 결정 결함 = 84
1. 점결함 = 84
2. 선결함 = 86
3. 면결함 = 87
제6절 결정 구조의 해석 = 87
복습문제 = 90
연구문제 = 93
제3장 반도체의 재료
제1절 도체ㆍ반도체ㆍ절연체 = 97
제2절 반도체의 특징 = 99
제3절 반도체의 특성과 기능 = 100
1. 원자의 기본 구조 = 100
2. 반도체의 구조 = 101
제4절 반도체의 공유결합 = 103
1.공유결합 = 103
제5절 반도체의 종류 = 105
1. 실리콘 = 106
2. 진성 반도체 = 107
3. 불순물 반도체 = 109
제6절 반도체의 발전 과정 = 114
제7절 반도체 재료 = 116
제8절 반도체의 역할 = 119
복습문제 = 121
연구문제 = 126
제4장 반도체의 에너지 준위
제1절 고체의 에너지 준위 = 129
1. 고체의 에너지 = 129
2. 결정 중 전자의 운동 = 137
3. 반도체의 에너지 = 140
제2절 에너지갭 = 144
1. 에너지대 = 144
2. 에너지대와 전자ㆍ정공의 발생 = 145
제3절 간접 및 직접 천이형 반도체 = 146
1. 에너지의 준위 내의 천이 = 146
2. 에너지 준위 사이의 천이 = 147
제4절 불순불 반도체의 에너지대 = 150
1. N형 반도체의 에너지 구조 = 150
2. P형 반도체의 에너지 구조 = 153
3. 반도체의 전압 공급 = 155
복습문제 = 157
연구문제 = 159
제5장 반도체의 도전 현상
제1절 고체의 도전 현상 = 163
제2절 반도체의 드리프트 = 166
제3절 반도체의 전기전도 = 168
제4절 격자산란 = 170
제5절 불순물산란 = 173
제6절 홀 효과 = 174
제7절 확산운동 = 177
제8절 열생성과 재결합 = 179
제9절 과잉 수소 캐리어 = 183
1. 광인 소수 케리어 = 183
2. 과잉 캐리어 농도 = 184
제10절 반도체의 캐리어 밀도 = 185
제11절 반도체의 페르미 준위 = 188
1. 진성 반도체 = 188
2. N형 반도체 = 190
3. P형 반도체 = 192
복습문제 = 194
연구문제 = 196
제6장 반도체의 PN 접합
제1절 PN 접합 = 201
1. 공핍층 = 201
2. 확산전위 = 202
3. 고핍층의 전계 = 206
4. 전위분포 = 209
5. 공핍층의 폭 = 210
제2절 PN 접합 다이오드 = 212
1. 정유 특성 = 212
2. PN 접합 다이오드의 전류 = 214
3. PN 접합 다이오드의 정특성 = 220
4. 공핍층영역의 변화 = 221
제3절 다이오드의 커패시터 = 222
1. 접합 커패시터 = 222
2. 공핍증 커패시터 = 223
제4절 항복 현상 = 226
1. 애벌란시 항복 = 227
2. 제너 항복 = 228
제5절 다이오도의 응용 = 229
1. 다이오드의 저항 = 229
2. 제너 다이오드 회로 = 232
3. 전파정류회로 = 234
4. 클리퍼와 클램퍼 = 235
복습문제 = 237
연구문제 = 240
제7장 트랜지스터
제1절 바이폴러 트랜지스터(Bipolar transistor) = 247
1. 점 접촉형 트랜지스터 = 247
2. 접합형 트랜지스터 = 248
3. 평면형 트랜지스터 = 249
4. NPN／PNP 트랜지스터 = 250
제2절 유니폴러 트랜지스터(Unipolar transistor) = 256
1. 접합형 전계효과 트랜지스터 = 258
2. 동작 = 261
3. 펀치-오프 = 264
4. MOSFET의 구조 = 266
5. MOS 구조의 에너지 대 = 269
6. MOSFET의 동작 = 274
7. MOSFET의 특성 = 280
8. MOSFET의 접지 방식 = 288
9. nMOS 논리회로 = 291
10. CMOS(Complementary MOS) 소자 = 293
11. CMOS 논리회로 = 295
복습문제 = 299
연구문제 = 304
제8장 금속과 반도체의 접촉
제1절 쇼트키 장벽 = 309
제2절 쇼트키 장벽 다이오드 = 313
1. 접합의 성질 = 313
2. 쇼트키 효과 = 315
3. 쇼트키 다이오드의 전류 = 316
4. 옴(Ohm)성 접촉 = 319
복습문제 = 321
연구문제 = 324
제9장 반도체의 제조공정
제1절 반도체의 재료 = 327
1. 웨이퍼 = 327
2. 마스크 = 333
3. 리드 프레임 = 333
제2절 반도체 설비 = 334
1. 제조설비 = 334
2. 캐미컬 및 유틸리티 = 336
3. 반도체 수율 = 336
제3절 반도체 제조공정 = 337
1. 반도체 제조의 기초 = 337
2. 웨이퍼 제조 및 회로설계 = 341
3. 웨이퍼 가공 = 344
4. 조립 및 검사 = 359
5. 페키징(Packaging) 공정 = 360
제4절 반도체 소자 제조방법 = 364
1. 바이폴러 트랜지스터 = 364
2. MOS 트랜지스터 = 365
3. nMOS 트랜지스터의 제조공정 = 366
4. CMOS 소자의 공정과 레이아웃 = 369
제5절 반도체 생산 = 380
1. 제조 라인 = 380
2. 청정실 = 382
복습문제 = 386
연구문제 = 391
제10장 특수반도체 소자
제1절 정전압 다이오드 = 395
제2절 광다이오드 = 397
제3절 광 트랜지스터(Phototransistor) = 398
제4절 발광다이오드 = 400
제5절 반도체 레이저 = 402
제6절 단일접합 트랜지스터 = 403
제7절 사이리스터 = 405
1. 실리콘 제어 정류기 = 405
2. 실리콘 제어 스위치(SCS) = 410
3. 다이액과 트라이액 = 411
4. 프로그래머블 단일접합 트랜지스터 = 413
5. SUS와 SBS = 415
제8절 집적회로 소자 = 416
1. 메모리 소자 = 416
2. 마이크로 소자 = 418
3. 박막 트랜지스터 = 419
4. 기타 반도체 소자 = 421
복습문제 = 423
연구문제 = 426
제11장 정보 디스플레이
제1절 정보 디스플레이의 개요 = 431
1. 디스플레이의 구성요소 = 431
2. 디스플레이의 개발 = 434
3. 디스플레이의 종류와 특성 = 436
제2절 액정 디스플레이(LCD) = 442
1. 액정(Liquid crystal)의 종류 = 442
2. 액정의 표시 = 448
제3절 액정재료 = 450
제4절 플라스마 디스플레이 = 490
1. 동작 원리 = 491
2. 구성 요소 및 재료 = 494
제5절 유기발광 디스플레이(OLED) = 496
1. 전계발광의 개요 = 496
2. ELD의 구조 및 동작 = 502
3. OELD의 제조공정 = 509
제6절 발광다이오드 디스플레이(LED for light source) = 512
1. 발광다이오드(LED)의 개요 = 512
2. LED의 구조와 동작 = 519
3. LED의 종류와 특성 = 522
4. LED의 제조공정 = 527
5. LED의 응용 = 529
복습문제 = 531
연구문제 = 537
부록
1. Symbol lists = 541
2. International system of lists = 542
3. Unit prefixes = 543
4. Greek alphabet = 544
5. Physical constants = 544
6. Properties of Ge, Si, GaAs at 300K = 545
7. Properties of SiO₂, Si₃N₄at 300K = 546
8. Periodic table of the elements = 547
복습문제 해답 = 548
참고문헌 = 555
