목차
CHAPTER 01 물리전자의 기초 = 15
1.1 원자와 전자 = 16
1.2 에너지의 단위 = 18
1.3 전위와 전계 = 19
1.4 전계 내에서의 전자의 운동 = 21
1.5 평등전계 내에서 전자의 1차원 운동 = 22
1.6 평등전계 내에서 전자의 2차원 운동 = 24
1.7 전자의 정전편향(electrostatic deflection) = 26
1.8 자계 내에서의 전자의 운동 = 28
1.9 전자의 자기편향(magnetic deflection) = 30
연습문제 = 33
CHAPTER 02 고체내의 양자역학 기초 = 35
2.1 물리학적 모형 = 36
2.2 실험적 관측 = 37
2.3 Bohr의 모형 = 42
2.4 쉬뢰딩거(Schrodinger) 파동방정식 = 46
2.5 전위우물 속의 전자 = 49
연습문제 = 53
CHAPTER 03 결정체와 반도체결정 성장 = 55
3.1 결정(crystal) = 56
3.2 결정 격자(crystal lattice) = 57
3.3 원자의 결합 = 66
3.4 반도체 재료 = 72
3.5 반도체 결정의 성장 = 74
연습문제 = 83
CHAPTER 04 반도체 물성의 기초 = 85
4.1 Bohr의 원자모형 = 86
4.2 원자의 전자적 구조 = 92
4.3 Puli의 배타율(pauli exclusion principle) = 99
4.4 에너지대의 구조 = 102
4.5 자유전자와 정공 = 109
4.6 에너지대의 해석 = 114
연습문제 = 118
CHAPTER 05 전자 전도 기구 = 121
5.1 전자와 정공의 열운동 = 122
5.2 드리프트(Drift) 운동 = 124
5.3 확산운동 = 127
5.4 이동도와 확산정수와의 관계 = 132
5.5 전류밀도 = 133
5.6 도전율(conductive) = 134
연습문제 = 136
CHAPTER 06 반도체의 전기적 성질 = 139
6.1 분포함수 = 140
6.2 진성반도체 = 146
6.3 외인성 반도체 = 152
6.4 외인성 반도체에서의 캐리어 농도 = 158
6.5 소수캐리어의 수명 = 165
6.6 Hall효과 = 169
연습문제 = 174
CHAPTER 07 PN접합(junction) = 177
7.1 반도체재료의 제조공정 = 178
7.2 PN접합 = 181
7.3 열평형상태에서의 PN접합 = 186
7.4 열적평형상태의 PN접합에 관한 해석 = 191
7.5 PN접합에 대한 바이어스전압의 효과 = 200
연습문제 = 206
CHAPTER 08 PN접합 다이오드의 특성 = 207
8.1 이상적 PN다이오드의 동작 = 208
8.2 이상적 PN다이오드의 특성 = 212
8.3 이상적 PN다이오드의 정특성 = 217
8.4 실제의 PN다이오드의 정특성 = 220
8.5 다이오드특성의 온도 변화 = 224
8.6 다이오드 저항 = 228
8.7 공간전하용량 = 232
8.8 확산용량 = 237
8.9 애벌란치항복 = 240
8.10 제너항복 = 245
8.11 제너다이오드 = 248
8.12 터널다이오드 = 251
연습문제 = 258
CHAPTER 09 금속과 반도체와의 접촉 = 259
9.1 금속과 금속의 접촉 = 260
9.2 금속과 반도체와의 접촉 = 262
9.3 반도체의 표면장벽 = 265
9.4 금속정류기 = 267
9.5 특수 다이오드 = 269
9.6 기타 다이오드 = 286
연습문제 = 295
CHAPTER 10 트랜지스터의 특성 = 297
10.1 트랜지스터의 구조 = 298
10.2 트랜지스터 작용 = 300
10.3 이상적 트랜지스터의 해석 = 306
10.4 Ebers-Moll의 회로모델 = 317
10.5 실제의 트랜지스터 = 319
10.6 공통베이스 특성 = 324
10.7 공통 에미터접속 CE의 정특성 = 328
10.8 CE정특성에 관한 해석 = 338
10.9 트랜지스터의 최대정격 = 347
연습문제 = 352
CHAPTER 11 전계효과 트랜지스터 = 353
11.1 전계효과 트랜지스터(field effect transistor)의 일반적 해설 = 354
11.2 접합전계효과 트랜지스터의 제조와 특성 = 355
11.3 금속-절연체-반도체 전계효과 트랜지스터 = 372
11.4 MOS전계효과 트랜지스터의 구조 및 특성 = 388
11.5 CMOS = 404
11.6 금속-반도체 전계효과 트랜지스터 = 406
연습문제 = 412
APPENDIX = 413
A.1 희랍문자 = 414
A.2 물리양의 단위 = 414
A.3 단위의 환산과 배수 = 415
A.4 물리량의 단위 = 416
A.5 전기와 전기량의 단위와 단위표기 = 417
A.6 기본 정수 = 419
A.7 중요 반도체의 성질 = 420
