상세정보

반도체의 기본 지식을 폭넓고 깊이 있게 학습하고자 하는 반도체 분야 전공자와 실무자를 위한 책으로, 반도체 물리와 소자에 대한 기초를 탄탄히 제대로 세울 수 있다. 가장 큰 특징은 장마다 J=Q'N 라는 일관된 컨셉을 중심으로 학습의 전체적인 구성과 흐름을 설명해 준다는 것이다. 이를 통해 학생들은 단순히 외우는 학습이 아닌 원리를 이해하는 방법을 배우게 될 것이다. 또한 수식의 의미를 잘 파악할 수 있도록 유도 및 풀이 과정을 자세히 설명하였으며, 눈에 보이지 않는 원자나 전자의 흐름을 상상할 수 있도록 컬러 그림으로 제시하여 직관적으로 반도체를 이해할 수 있게 하였다.

도서 장점(마케팅 포인트)

① 반도체 물성부터 반도체 소자까지 반도체의 기본 지식을 폭넓게 다루고 있다.
-. 반도체의 기본 핵심 원리의 모든 것을 다루고 있으므로, 반도체의 기초를 탄탄히 하고 싶은 전공자 및 실무자에게 큰 도움을 줄 수 있는 책이다.
② 외우는 학습이 아닌 '이해할 수 있도록' 반도체 공학을 설명한다.
-. 의미를 한 눈에 파악할 수 있는 직관적인 컬러 그림과 자세한 수식 유도 및 풀이 과정으로 개념과 수식을 이해하고 활용할 수 있다. 또한 J=ΣQ'N 라는 일관된 컨셉은 각각의 개념을 서로 연계하여 더욱 명확히 이해할 수 있도록 도와준다.
③ 근거 있는 설명으로 더욱 '깊이 있게' 생각하는 방법을 배운다.
-. 단순히 'C 다음에 D가 온다.' 는 설명 대신, 'A가 온 뒤에 B가 오고, B의 영향으로 C가 생겨, 결국 D가 된다.' 는 설명 방식으로, 하나의 현상을 깊숙이 파고 들어 학습할 수 있다.

도서 특징(책 표지 글)

상세한 풀이 과정, 깊이 있는 분석으로 반도체의 기본 지식을 익힌다!

【누구를 위한 책인가?】
이 책은 반도체의 기본 지식을 폭넓고 깊이 있게 학습하고자 하는 반도체 분야 전공자와 실무자를 위한 책으로, 반도체 물리와 소자에 대한 기초를 탄탄히 제대로 세울 수 있다.

이 책의 가장 큰 특징은 장마다 J=Q'N 라는 일관된 컨셉을 중심으로 학습의 전체적인 구성과 흐름을 설명해 준다는 것이다. 이를 통해 학생들은 단순히 외우는 학습이 아닌 원리를 이해하는 방법을 배우게 될 것이다. 또한 수식의 의미를 잘 파악할 수 있도록 유도 및 풀이 과정을 자세히 설명하였으며, 눈에 보이지 않는 원자나 전자의 흐름을 상상할 수 있도록 컬러 그림으로 제시하여 직관적으로 반도체를 이해할 수 있게 하였다.

【무엇을 다루는가?】



부/장별 내용 요약

이 책은 전자기 현상을 이해하기 위한 여러 법칙과 이론을 비교적 간결하게 설명하면서 연습문제 풀이를 통하여 이론 습득의 효율성을 추구하였다.

* 1~2장_반도체 특성 이해를 위한 기초
반도체를 구성하는 원자 배열 구조, 전기적 특성을 지배하는 전자의 특성해석의 도구인 양자역학 기초를 다룬다.

* 3~4장_에너지 대역 형성과 캐리어 농도
주기적 원자배열 구조 반도체의 에너지 대역 형성, 열평형 상태의 전자와 정공 농도를 지배하는 요소, 도핑을 통한 농도 조절방법에 대해 다룬다.

*5~6장_전류의 형성과 연속 방정식
반도체에 전압이 인가된 경우 드리프트 전류와 확산 전류의 형성 과정, 이동도에 관해 설명하며, 캐리어 농도의 공간적 분포와 시간에 따른 변화를 지배하는 연속방정식과 응용에 관해 다룬다.

*7~9장_접합의 형성과 전류-전압 특성
반도체와 집적회로를 구성하는 핵심요소인 pn 접합, 금속-반도체 접합, 이종 접합의 인가 전압에 따른 에너지 대역도 변화와 전류-전압 특성 변화에 대해 다룬다.

* 10~13장_트랜지스터의 구조와 전기적 특성
증폭 기능을 가진 3단자 트랜지스터의 구조와 동작원리, 전류-전압 특성에 관해 학습한다. 바이폴라 트랜지스터(BJT), 절연 게이트를 이용한 MOSFET, 접합형 게이트를 이용한 JFET/MESFET을 깊이 있게 다룬다.

*14장_반도체 광소자의 특성
반도체를 이용한 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광검출 소자, 태양에너지를 전기에너지로 변환하는 태양전지, 전기에너지를 빛으로 발생하는 발광소자의 구조와 핵심 동작 원리에 관해 다룬다.

정보제공 :

목차
지은이 소개 = 2
강의 계획 = 3
지은이 머리말 = 7
강의 보조 자료 = 9
학습 로드맵 = 10
Chapter 01 고체의 원자 배열
 이 장의 구성과 학습 내용 = 23
 1.1 반도체란? J＝∑Q'Nv = 24
  1.1.1 전기전도도(σ)에 따른 고체의 분류 = 24
  1.1.2 반도체 = 24
 1.2 결정성 반도체 = 27
  1.2.1 원자 배열의 주기성에 따른 고체의 분류 = 27
  1.2.2 결정성 반도체 = 27
 1.3 주기적 원자 배열 구조 = 29
  1.3.1 단위셀과 기본벡터 = 30
  1.3.2 최소 단위셀과 최소 기본벡터 = 32
 1.4 고체의 결정 구조 = 34
  1.4.1 단위셀의 형태 = 34
  1.4.2 단위셀 내의 유효 원자수 = 36
 1.5 결정성 반도체의 방향 및 결정면 = 40
  1.5.1 결정 내의 방향 표시［pqs］ = 40
  1.5.2 밀러 지수와 결정면 표시 = 41
 1.6 역공간 및 역격자 = 44
  1.6.1 실공간과 역공간 = 44
  1.6.2 역격자 공간 = 45
 1.7 결정 결함 = 47
 연습문제 = 49
Chapter 02 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초
 이 장의 구성과 학습 내용 = 53
 2.1 양자역학의 기초 = 54
  2.1.1 왜 양자역학을 배워야 하는가 = 54
  2.1.2 광전효과 실험 = 57
  2.1.3 양자역학을 위한 기초개념 = 59
 2.2 슈뢰딩거 파동방정식 = 62
  2.2.1 파동함수의 기본 가정 = 62
  2.2.2 파동방정식과 파동함수 = 64
 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 = 74
  2.3.1 1차원 자유공간에서 전자의 특성 = 75
  2.3.2 1차원 무한 에너지 장벽에 갇힌 전자의 특성 = 82
  2.3.3 유한 에너지 우물에 갇힌 전자의 특성 = 91
  2.3.4 계단형 에너지 장벽 구조에서 전자의 전파 특성 = 99
  2.3.5 유한한 두께를 가진 에너지 장벽 구조에서 전자의 특성 = 106
 2.4 수소원자 모델: 3차원 파동방정식을 이용한 원자 내 전자의 특성 = 111
  2.4.1 왜 수소원자 모델을 이해해야 하는가 = 111
  2.4.2 수소원자 모델과 양자역학적 해석 = 112
 2.5 보어의 수소원자 모델과 준-양자역학적 해석 = 118
 연습문제 = 122
Chapter 03 에너지 대역 형성과 이동전하
 이 장의 구성과 학습 내용 = 129
 3.1 허용 및 금지에너지 대역 = 133
  3.1.1 크로니히-페니 모델 = 133
  3.1.2 반도체 내에 존재하는 전자(E<ΔE)의 전파 특성과 E―k 관계도 = 138
  3.1.3 주기적 원자 배열 구조와 역공간에서의 주기성 및 최소 단위셀 = 141
 3.2 전도 대역과 가전자 대역 : 전자와 정공의 정의 = 143
  3.2.1 가전자 대역과 전도 대역 = 143
  3.2.2 역공간의 E―k 관계도와 반도체의 특성 = 146
  3.2.3 전계에 의한 드리프트 전류의 형성 = 150
  3.2.4 E―k 관계도와 전자의 유효질량 = 151
  3.2.5 가전자 대역 정공에 의한 전류 = 153
 3.3 에너지 밴드갭에 따른 고체의 분류 = 156
 3.4 허용에너지 상태밀도함수 = 159
  3.4.1 허용에너지 상태밀도함수 g(E) = 159
  3.4.2 3차원 무한 에너지 장벽 내의 전자와 양자화 = 161
 3.5 전자 및 정공의 분포함수 f(E) = 167
  3.5.1 페르미―디랙 분포함수 fFD(E)의 유도 = 167
  3.5.2 맥스웰―볼츠만 분포함수 fMB(E) = 171
 연습문제 = 174
Chapter 04 열평형 상태 반도체 내의 이동전하: 전자와 정공의 농도
 이 장의 구성과 학습 내용 = 179
 4.1 전자와 정공 농도 : 의미와 표시 방법 = 181
  4.1.1 열평형 상태의 전자와 정공의 분포 = 182
  4.1.2 페르미 준위 EF = 185
 4.2 순수 반도체와 고유 캐리어 농도 = 187
  4.2.1 고유 캐리어 농도 ni = 188
  4.2.2 고유 페르미 준위 Ei(EFi) = 191
 4.3 불순물 주입에 의한 전기적 특성 조절 = 194
  4.3.1 전기적 특성 조절을 위한 불순물 주입 = 195
  4.3.2 불순물 주입 반도체의 열평형 상태 전자와 정공 농도 = 202
 4.4 불순물의 이온화와 캐리어 농도 = 206
  4.4.1 불순물의 이온화 과정 = 206
 4.5 불순물 주입 반도체의 전자와 정공 농도 = 211
  4.5.1 반도체 내의 전하의 종류와 중성전하 조건 = 211
  4.5.2 열평형 상태의 전자와 정공 농도 = 212
  4.5.3 온도에 따른 불순물의 이온화와 다수 캐리어 농도 변화 = 213
 4.6 반도체의 불순물 농도와 페르미 준위 = 219
 4.7 페르미 준위의 공간적 분포 EF(x) = 223
  4.7.1 페르미 준위 EF(x)의 공간적 분포 = 224
 연습문제 = 227
Chapter 05 전하의 이동과 전류 형성
 이 장의 구성과 학습 내용 = 231
 5.1 전계에 의한 드리프트 전류 : Jdrift = 235
  5.1.1 전계에 의한 전자와 정공의 드리프트 = 236
  5.1.2 드리프트 전류의 형성과 이동도 Jdrift = 237
  5.1.3 드리프트 전류의 형성과 전기전도도 = 244
  5.1.4 이동도의 온도와 불순물 농도 의존성 = 247
 5.2 농도기울기에 의한 확산 전류 : Jdiff = 252
 5.3 드리프트―확산 전류 모델 = 258
 5.4 불균일 도핑 반도체의 내부 전계 = 260
  5.4.1 불순물 농도 불균일로 인해 형성된 열평형 상태의 내부 전계 εbi = 261
  5.4.2 아인쉬타인 관계식：이동도와 확산계수의 관계 = 263
 5.5｜홀 효과와 다수 캐리어 특성 측정 = 267
 연습문제 = 276
Chapter 06 과잉 캐리어와 연속방정식
 이 장의 구성과 학습 내용 = 281
 6.1 과잉 캐리어의 생성과 재결합 = 283
  6.1.1 열평형 상태의 반도체에서 캐리어의 생성과 재결합 = 285
  6.1.2 비평형 상태에서 과잉 캐리어의 생성 및 재결합 = 287
  6.1.3 과잉 캐리어의 생성 및 재결합의 예 = 293
 6.2 연속방정식 : 시간에 따른 농도 분포 = 297
 6.3 중성영역의 켤레전하 전송방정식 = 303
  6.3.1 과잉 전자와 정공의 켤레전하 전송방정식 = 304
  6.3.2 불순물 주입된 반도체의 켤레전하 전송방정식 = 305
  6.3.3 과잉 캐리어의 확산방정식 = 308
  6.3.4 켤레전하 전송방정식의 응용 = 311
 6.4 쇼클리-헤인즈 측정법 = 317
 6.5 유사 페르미 준위와 과잉 캐리어 농도 = 322
 6.6 결함 준위를 통한 생성과 재결합 = 330
  6.6.1 결함 준위를 통한 캐리어의 생성 및 재결합 = 331
  6.6.2 결함 준위를 통한 생성과 재결합 : SRH 생성-재결합 = 333
 6.7 계면 결함 준위를 통한 생성과 재결합 = 339
 연습문제 = 344
Chapter 07 반도체 접합의 형성과 에너지 대역도
 이 장의 구성과 학습 내용 = 351
 7.1 반도체 접합의 종류 = 356
 7.2 pn 접합의 형성과 열평형 상태 에너지 대역도 = 360
  7.2.1 에너지 대역도의 중요성 = 360
  7.2.2 에너지 대역도 이해를 위한 기초 = 360
  7.2.3 pn 접합의 형성과 열평형 상태 도달 과정 = 364
  7.2.4 열평형 상태 에너지 대역도를 구하는 과정 = 368
  7.2.5 열평형 상태의 공간전하영역의 폭과 최대 전계 = 383
  7.2.6 디바이 길이와 공간전하영역 구분 가정의 타당성 = 385
 7.3 인가 전압과 pn 접합의 특성 변화 = 391
  7.3.1 전압에 의한 pn 접합 특성 변화 = 391
  7.3.2 pn 접합의 접합 정전용량 = 396
  7.3.3 공핍 정전용량 변화를 이용한 기판 특성 분석 방법 = 399
 연습문제 = 408
Chapter 08 pn 접합 다이오드의 전류-전압 특성
 이 장의 구성과 학습 내용 = 417
 8.1 pn 접합 다이오드의 DC 전류-전압 특성 = 419
  8.1.1 중성영역의 소수 캐리어 농도 분포 = 420
  8.1.2 중성영역 내의 과잉 캐리어 농도 분포 = 430
  8.1.3 이상적인 pn 접합 다이오드의 전류-전압 특성 = 436
  8.1.4 중성영역의 불순물 농도와 길이에 따른 전류-전압 특성 = 445
  8.1.5 역방향 누설 전류와 물리적 메커니즘 = 449
 8.2 공간전하영역에서 생성과 재결합 전류 = 453
  8.2.1 역방향 전압이 인가된 공간전하영역의 열생성에 의한 누설 전류 = 454
  8.2.2 순방향 전압이 인가된 공간전하영역의 재결합 전류 = 457
  8.2.3 공간전하영역에서 재결합을 고려한 순방향 전류-전압 특성 = 461
 8.3 pn 접합 다이오드의 역방향 접합 붕괴 현상 = 465
  8.3.1 눈사태 접합 붕괴 = 467
  8.3.2 제너 접합 붕괴 = 470
  8.3.3 침식 접합 붕괴 = 472
 8.4 pn 접합 다이오드의 소신호 등가회로 = 474
 8.5 전하 제어 모델과 과도 응답 특성 해석 = 480
  8.5.1 과잉 캐리어 축적과 스위칭 특성 해석을 위한 전하 제어 모델 = 481
  8.5.2 p＋n 다이오드의 차단시 과도 응답 특성 해석 = 488
 연습문제 = 492
Chapter 09 금속―반도체 접합과 반도체 이종 접합
 이 장의 구성과 학습 내용 = 501
 9.1 금속-반도체 접합의 종류와 전기적 특성 = 503
 9.2 정류형 금속-반도체 접합 : 쇼트키 접합 = 506
  9.2.1 금속―n형 반도체로 이루어진 n형 쇼트키 접합의 에너지 대역도 = 507
  9.2.2 열방출 이론에 의한 쇼트키 다이오드의 전류―전압 관계식 = 513
  9.2.3 n형 쇼트키 접합과 p＋n 접합의 비교 = 516
 9.3 옴성 금속-반도체 접합 = 522
 9.4 반도체 이종 접합과 전기적 특성 = 526
  9.4.1 반도체 이종 접합이란? = 526
  9.4.2 에너지 대역도를 그리는 방법 = 528
  9.4.3 에너지 대역도를 통한 전자와 정공에 대한 에너지 장벽의 이해 = 537
 9.5 이종 접합의 과잉 캐리어 농도 분포 = 541
 9.6 이종 접합 다이오드의 전류―전압 특성 = 544
 연습문제 = 549
Chapter 10 바이폴라 트랜지스터의 전류―전압 특성
 이 장의 구성과 학습 내용 = 555
 10.1 바이폴라 트랜지스터의 구조와 동작 원리 = 559
  10.1.1 역방향 전압이 인가된 pn 접합 다이오드의 역방향 전류 = 559
  10.1.2 역방향 전압이 인가된 pn 접합의 역방향 전류 조절 = 560
  10.1.3 pn 접합 2개로 구현된 바이폴라 트랜지스터의 구조와 동작 = 563
 10.2 중성영역의 과잉 소수 캐리어 농도 분포 = 573
 10.3 바이폴라 트랜지스터의 전류―전압 특성 = 581
  10.3.1 바이폴라 트랜지스터의 전류 구성성분 = 582
  10.3.2 npn 바이폴라 트랜지스터의 순방향 능동 동작 전류 = 584
  10.3.3 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 = 593
  10.3.4 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률을 지배하는 요소 = 594
  10.3.5 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터, 베이스, 에미터 전류의 해석적 모델 = 605
 10.4 실제 바이폴라 트랜지스터의 전류―전압 특성 = 614
  10.4.1 베이스폭 변조효과와 콜렉터 전류 변화 = 614
  10.4.2 베이스 저항으로 인해 에미터 전류가 모서리로 붐비는 현상 = 618
  10.4.3 불균일하게 도핑된 베이스에 형성된 내부 전계와 전기적 특성의 변화 = 622
  10.4.4 큰 콜렉터 전압에 의한 콜렉터 전류 붕괴 = 624
 10.5 바이폴라 트랜지스터의 등가 모델 = 632
  10.5.1 에버스―몰(Ebers-Moll)의 결합 다이오드 모델 = 632
  10.5.2 ac 특성 분석에 사용되는 소신호 등가회로 모델 = 635
  10.5.3 스위칭／과도 응답 특성 해석을 위한 전하 제어 모델 = 649
 연습문제 = 662
Chapter 11 MOS 구조의 전기적 특성
 이 장의 구성과 학습 내용 = 671
 11.1 MOS 구조의 전기적 특성 = 676
  11.1.1 접합을 이루기 전 MOS 구조를 이루는 각 영역의 특성변수 = 677
  11.1.2 열평형 상태인 MOS 구조의 에너지 대역도 = 679
  11.1.3 금속 게이트를 사용한 n―MOS 구조의 에너지 대역도 = 688
 11.2 전압이 인가된 MOS 구조의 에너지 대역도 = 691
  11.2.1 공핍 상태의 전압이 인가된 MOS 구조의 에너지 대역도 = 694
  11.2.2 기판영역의 표면 전위와 MOS 구조의 전기적 특성 = 699
  11.2.3 에너지 대역도와 반도체 기판영역의 캐리어 농도 분포 = 704
  11.2.4 n―MOS와 p―MOS 구조의 에너지 대역도 비교 = 707
 11.3 기판영역의 2차원 표면전하량 QS = 708
  11.3.1 표면 전위에 따른 표면전하량의 변화 = 709
  11.3.2 게이트 전압에 의한 표면 전위 변화와 동작 상태의 구분 = 714
  11.3.3 표면 전위 변화에 따른 동작 상태의 구분과 표면전하 = 718
  11.3.4 게이트 전압에 의한 기판 표면전하량의 변화와 드레인 전류의 관계 = 727
 11.4 MOS 구조의 임계 전압과 일함수 = 730
  11.4.1 MOS 구조의 임계 전압 = 731
  11.4.2 온도에 따른 임계 전압 변화 = 736
 11.5 MOS 구조의 정전용량 변화(C―V) 특성 = 742
  11.5.1 이상적인 MOS 구조의 C―V 특성 = 743
  11.5.2 임계 전압보다 작은 게이트 전압이 인가된 경우 MOS 구조의 C―V 특성 = 751
  11.5.3 임계 전압보다 큰 전압이 인가된 경우 C―V 특성 = 760
  11.5.4 느린 게이트 주사 전압에 대한 C―V 특성 = 765
  11.5.5 빠른 게이트 주사 전압에 의한 과도 공핍과 C―V 특성 = 769
  11.5.6 N―MOS 구조의 C―V 특성의 예 = 771
  11.5.7 산화막과 산화막／기판 경계면 전하와 C―V 특성 = 775
 연습문제 = 782
Chapter 12 MOSFET의 전류―전압 특성
 이 장의 구성과 학습 내용 = 789
 12.1 MOSFET의 전류―전압 특성 = 794
  12.1.1 MOSFET의 구조와 전류 관계식 = 797
  12.1.2 선형영역 전류―전압 특성 = 807
  12.1.3 포화영역 전류―전압 특성 = 810
 12.2 MOSFET의 전류-전압 관계식과 전달컨덕턴스 = 814
  12.2.1 MOSFET의 입―출력 전달컨덕턴스 gm = 813
  12.2.2 MOSFET과 BJT의 특성 비교 = 818
 12.3 포화영역 채널길이 변조효과와 기판 전압 효과 = 823
  12.3.1 드레인 전압에 의한 포화영역 채널길이 변조현상 = 823
  12.3.2 기판 전압에 의한 임계 전압의 변화 = 828
 12.4｜약한 반전 상태의 드레인 누설 전류와 기울기 = 835
 12.5 MOSFET의 소신호 등가회로 모델 = 847
  12.5.1 MOSFET에 인가된 소신호의 크기 = 847
  12.5.2 MOSFET의 소신호 등가회로 = 849
  12.5.3 기생저항을 고려한 MOSFET의 소신호 등가회로 모델 = 856
  12.5.4 게이트-드레인 커패시턴스와 밀러 효과 = 859
  12.5.5 기생저항에 의한 전달컨덕턴스의 변화 = 862
 12.6 큰 드레인 전압이 인가된 MOSFET의 특성 = 865
  12.6.1 큰 운동에너지를 가진 과열 전자 = 865
  12.6.2 MOSFET의 눈사태 붕괴 = 866
 12.7 기생 BJT와 MOSFET의 전기적 특성 = 870
  12.7.1 기생 BJT에 의한 드레인 전류 급반등 현상 = 871
  12.7.2 CMOS에서 기생 BJT에 의한 드레인 전류 잠김 현상 = 873
 12.8 MOSFET의 특성변수 추출 방법 = 877
  12.8.1 선형영역의 전류―전압 특성으로부터 채널 캐리어의 이동도 추출(μn) = 877
  12.8.2 전달 특성을 이용한 임계 전압의 추출 = 878
 12.9 MOSFET의 소형화로 인한 특성 변화 = 883
  12.9.1 짧은 채널 MOSFET의 속도 포화와 드레인 전류의 변화 = 883
  12.9.2 수직방향 전계에 의한 유효 이동도 변화 = 885
  12.9.3 MOSFET의 소형화로 인한 임계 전압의 변화 = 889
  12.9.4 MOSFET의 누설 전류 = 893
 연습문제 = 888
Chapter 13 접합형 전계효과 트랜지스터의 전류―전압 특성
 이 장의 구성과 학습 내용 = 907
 13.1 접합형 전계효과 트랜지스터의 구조와 동작 = 910
 13.2 접합형 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성 = 917
  13.2.1 선형영역에서의 전류―전압 특성 = 917
  13.2.2 포화영역에서의 전류―전압 특성 = 921
  13.2.3 JFET／MESFET의 입출력 전달 특성 = 924
 13.3 짧은 채널효과 = 928
  13.3.1 포화영역의 채널길이 변조효과 = 928
  13.3.2 드레인 전압에 의한 유효 채널길이 변화와 채널길이 변조계수 = 930
 13.4 소신호 특성과 등가회로 = 933
 13.5 이종 접합 고이동도 전계효과 트랜지스터 = 941
 연습문제 = 944
Chapter 14 반도체 광소자
 이 장의 구성과 학습 내용 = 949
 14.1 광검출 소자의 구조와 동작 원리 = 950
  14.1.1 반도체의 광흡수와 과잉 캐리어의 생성 = 950
  14.1.2 광전도 소자의 구조와 동작 원리 = 955
  14.1.3 광다이오드의 구조와 동작 원리 = 960
 14.2 태양전지의 구조와 동작 원리 = 972
 14.3 발광 소자의 구조와 동작 원리 = 978
  14.3.1 발광의 원리 = 979
  14.3.2 발광 다이오드의 구조와 동작 원리 = 980
  14.3.3 레이저 다이오드의 구조와 동작 원리 = 986
 연습문제 = 996
참고 문헌 = 999
찾아보기 = 1004