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보고서 초록
요약문
SUMMARY
Contents
목차
제1장 연구개발과제의 개요 12
제1절 연구개발 개요 12
제2절 연구개발 목표 및 내용 13
1. 최종목표 13
2. 단계 목표 13
3. 연차별 연구목표 및 내용 14
4. 평가의 착안점 및 척도 15
제3절 연구추진전략 및 방법 16
1. 연구개발 추진전략 18
2. 연구개발 추진체계 18
제2장 국내외 기술개발 현황 19
제1절 국외의 연구개발 실적 19
제2절 국내의 연구개발 실적 21
제3절 연구결과의 현 위치 22
제3장 연구개발수행 내용 및 결과 23
제1절 실시간 모니터링 23
1. GaN의 실시간 Spectral Reflectance 측정 23
2. MOSS (multi-beam optical stress sensor) 제작 24
3. SR을 이용한 Atomic Layer Epitaxy 관찰 25
4. InAs/InP 양자점 성장시의 spectral reflectance 관찰 26
5. InAs/InGaAs/InP 적층 양자점 성장 과정의 실시간 SR 측정 27
6. 도핑 레벨의 실시간 측정 29
7. in-situ doping을 통한 광전소자용 고품위 도핑 구현 29
8. Spectral Reflectance를 이용한 에피층 성장의 실시간 분석 30
9. Multibeam Optical Stress Sensor (MOSS)를 이용한 에피층 성장의 실시간 분석 32
제2절 에피성장 34
1. NH₃ preheater 사용에 의한 물성향상 34
2. 성장정지를 이용한 In-rich InGaN/GaN 양자우물구조 성장 34
3. 사성분계 화합물 반도체 성장 36
4. 고품질 crack-free AlGaN의 성장과 열역학적 분석을 통한 물성 제어방법 제시 37
5. In-rich InGaN/GaN 양자점 성장 39
6. In-rich InGaN 양자우물구조의 발광 파장 계산 40
7. In-rich InGaN/GaN 다중양자우물 구조 성장과 LED 제작 41
8. 주기적인 AsH₃ 공급차단 (Periodical AsH₃ Interruption; PAI)을 통한 고품질의 양자점 성장 43
9. PAI 양자점 성장시 원료 공급의 정밀한 제어를 위한 독립 제어 시스템 구축 45
10. VFF, eight-band kㆍp 방법을 이용한 양자점의 응력 및 전기적, 광학적 특성 계산 46
제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 50
제1절 계획대비 달성도 50
1. 1단계 50
2. 2단계 50
제2절 연차별 연구성과 총괄 52
1. 총괄 52
2. 기술이전 및 활용 52
3. 기술료 수입 53
4. 연구결과의 산업화 실적 - 시제품개발, 시험생산, 대량생산 등 53
5. 특허출원/등록 53
6. 논문게재 54
7. 학술발표 64
제3절 관련분야에의 기여도 87
1. 실시간 모니터링 87
2. 에피성장 89
제4절 공공기능수행실적 93
1. 홈페이지 운영 및 활용현황 94
2. 산학연협력거점 활동 현황 98
3. 활발한 학술/학회 활동 98
4. NRL 세미나 개최실적 100
5. NRL 주관 Workshop 개최실적 102
6. 대외초청 세미나 103
7. 국내외 연구기관과의 협력 103
8. 화합물반도체 인식 및 저변 확대 104
제5장 연구개발결과의 활용계획 105
제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 106
제7장 참고문헌 108
