| 000 | 00000nam c2200205 k 4500 | |
| 001 | 000000863320 | |
| 005 | 20231027101711 | |
| 007 | ta | |
| 008 | 030513s2003 ggka 000a korBU | |
| 020 | ▼c \ 15920 | |
| 035 | ▼a KRIC08990022 | |
| 040 | ▼a 222001 ▼c 222001 ▼d 211009 | |
| 041 | 0 | ▼a kor ▼b eng |
| 049 | 1 | ▼l 121085124 ▼f 과학 |
| 082 | 0 4 | ▼a 621.38152 ▼2 21 |
| 088 | ▼a UCN2431-7365-1 | |
| 090 | ▼a 621.38152 ▼b 2003m | |
| 110 | ▼a 한국과학기술연구원 ▼0 AUTH(211009)147065 | |
| 245 | 1 0 | ▼a MRAM용 MR 소자/소재 및 단위공정 개발 = ▼x Development of MR materials/devices & unit process for MRAM / ▼d 한국과학기술연구원 [주관연구]. |
| 260 | ▼a [과천] : ▼b 과학기술부, ▼c 2003. | |
| 300 | ▼a 1책(면수복잡) : ▼b 삽도 ; ▼c 29 cm. | |
| 500 | ▼a 본 보고서는 "테라급나노소자개발사업(Tera level Nano deviecs)"의 세부과제임 | |
| 500 | ▼a 주관연구책임자: 신경호 | |
| 504 | ▼a 참고문헌수록 | |
| 505 | 0 0 | ▼t MRAM용 MR 소재/소자 및 단위공정 개발 / ▼d 하이닉스 반도체. - ▼t 신구조 자기접합 소자기술 / ▼d 고려대학교. - ▼t MR 소자의 재료분석/신공정개발/소자특성기술연구 / ▼d 한양대학교. - ▼t MRAM 소자의 read/write 특성 측정, 해석 및 설계기술 연구 / ▼d 숭실대학교 생산기술연구소. - ▼t 자기터널접합의 특성향상을 위한 새 배리어 개발과 자기 안정화에 관한 연구 / ▼d 연세대학교 |
| 653 | ▼a 자기터널접합 ▼a 급속열처리 ▼a 스윗칭필드 ▼a 키퍼층 | |
| 653 | ▼a MRAM ▼a magnetic tunnel junction ▼a RTA ▼a switching field ▼a keeper layer | |
| 700 | 1 | ▼a 신경호, ▼e 주관연구책임 |
| 710 | ▼a 한국. ▼b 과학기술부 ▼0 AUTH(211009)148152 | |
| 710 | ▼a 하이닉스반도체 | |
| 710 | ▼a 고려대학교 ▼0 AUTH(211009)113575 | |
| 710 | ▼a 한양대학교 ▼0 AUTH(211009)148154 | |
| 710 | ▼a 숭실대학교. ▼b 생산기술연구소 | |
| 710 | ▼a 연세대학교 ▼0 AUTH(211009)91157 | |
| 740 | ▼a Tera level Nano deviecs | |
| 740 | ▼a 테라급나노소자개발사 |
소장정보
| No. | 소장처 | 청구기호 | 등록번호 | 도서상태 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| No. 1 | 소장처 과학도서관/보존서고5(동양서)/ | 청구기호 621.38152 2003m | 등록번호 121085124 (6회 대출) | 도서상태 대출가능 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 |
컨텐츠정보
목차
제1장 연구개발과제의 개요(Summary of Research Project) = 1 제2장 국내외 기술개발 현황(Foreign and Domestic Research Status) = 7 제3장 연구개발수행 내용 및 결과(Contents and Results of Research) = 11 제1절 Micromagnetic simulation을 이용한 MRAM 설계기술(MRAM design technology using micromagnetic simulation) = 11 제2절 터널배리어 제조기술(Fabrication of tunneling barrier) = 58 제3절 자기터널접합 특성향상을 위한 열처리공정기술(Annealing process for enhancement of MTJ properties) = 84 제4절 자기터널접합 소형화기술(MTJ with a sub-micron-sized junction area) = 96 제5절 신구조의 자기터널접합 제조기술(MTJ with a novel structure) = 107 제6절 신재료(Bi) 연구(Research for new material(Bi)) = 116 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도(Achievements and Contributions) = 131 제1절 연구개발 목표 및 평가의 착안점(Purpose of researches and factors of valuation) = 131 제2절 연구범위 및 연구수행방법(Rearch field and methods) = 134 제3절 연구수행 내용 및 결과요약(Contents and summary) = 135 제4절 연구개발 목표의 달성도(Achivements) = 139 제5절 관련분야의 기술발전에의 기여도(Contributions for related research fields) = 142 제5장 연구개발결과의 활용계획(Plans for Applications of Research Results) = 145 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보(Toreign Scientific and Technological Information Obtained During the Reseach) = 147 제7장 참고문헌(References) = 149