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목차
자자 서문 = ⅵ
역자 서문 = ⅷ
Chapter 1 서론(Introduction)
 1-1 세 종류의 수식 = 4
 1-2 근사해석 = 6
 1-3 전압원 = 8
 1-4 전류원 = 10
 1-5 Thevenin 정리 = 13
 1-6 Norton 정리 = 17
 1-7 고장 점검 = 21
Chapter 2 반도체(Semiconductors)
 2-1 도체 = 32
 2-2 반도체 = 33
 2-3 실리콘 결정 = 34
 2-4 진성 반도체 = 37
 2-5 두 유형의 흐름 = 38
 2-6 반도체의 도핑 = 38
 2-7 두 유형의 외인성 반도체 = 40
 2-8 바이어스되지 않은 다이오드 = 40
 2-9 순방향 바이어스 = 42
 2-10 역방향 바이어스 = 43
 2-11 항복현상 = 45
 2-12 에너지 준위 = 46
 2-13 에너지 언덕 = 49
 2-14 전위장벽과 온도 = 51
 2-15 역방향 바이어스된 다이오드 = 53
Chapter 3 다이오드 이론(Diode Theory)
 3-1 기본개념 = 64
 3-2 이상적인 다이오드 = 67
 3-3 제2근사해석 = 70
 3-4 제3근사해석 = 72
 3-5 고장 점검 = 75
 3-6 증감 회로해석 = 78
 3-7 자료 표 읽기 = 79
 3-8 벌크저항 계산법 = 83
 3-9 다이오드의 직류저항 = 83
 3-10 부하선 = 84
 3-11 표면부착형 다이오드 = 86
Chapter 4 다이오드 회로(Diode Circuits)
 4-1 반파정류기 = 96
 4-2 변압기 = 99
 4-3 전파정류기 = 101
 4-4 브리지정류기 = 105
 4-5 초크입력 필터 = 109
 4-6 커패시터입력 필터 = 112
 4-7 피크 역전압과 서지전류 = 119
 4-8 전원에 관한 다른 논제 = 121
 4-9 고장 점검 = 125
 4-10 클리퍼와 리미터 = 128
 4-11 클램퍼 = 133
 4-12 전압 배율기 = 135
Chapter 5 특수목적 다이오드(Special-Purpose Diodes)
 5-1 제너 다이오드 = 152
 5-2 부하가 있는 제너 조정기 = 155
 5-3 제너 다이오드의 제2근사해석 = 160
 5-4 제너 이탈점 = 164
 5-5 자료 표 읽기 = 166
 5-6 고장 점검 = 170
 5-7 부하선 = 173
 5-8 광전자 소자 = 173
 5-9 쇼트키 다이오드 = 180
 5-10 버랙터 = 183
 5-11 다른 다이오드 = 186
Chapter 6 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Junction Transistors)
 6-1 바이어스되지 않은 트랜지스터 = 200
 6-2 바이어스된 트랜지스터 = 201
 6-3 트랜지스터의 전류 = 203
 6-4 CE 접속 = 205
 6-5 베이스 곡선 = 207
 6-6 컬렉터 곡선 = 209
 6-7 트랜지스터의 근사해석 = 214
 6-8 자료 표 읽기 = 219
 6-9 표면부착형 트랜지스터 = 224
 6-10 고장 점검 = 225
Chapter 7 트랜지스터 기초(Transistor Fundamentals)
 7-1 전류이득의 변화 = 236
 7-2 부하선 = 237
 7-3 동작점 = 242
 7-4 포화상태의 식별 = 245
 7-5 트랜지스터 스위치 = 248
 7-6 이미터 바이어스 = 250
 7-7 LED 구동기 = 254
 7-8 작은 변화의 영향 = 257
 7-9 고장 점검 = 258
 7-10 여러 가지 광전소자 = 262
Chapter 8 트랜지스터 바이어스(Transistor Biasing)
 8-1 전압분배 바이어스 = 276
 8-2 정확한 VDB 해석 = 278
 8-3 VDB 부하선과 Q점 = 281
 8-4 양전원 이미터 바이어스 = 284
 8-5 다른 형태의 바이어스 = 288
 8-6 고장 점검 = 291
 8-7 PNP 트랜지스터 = 292
Chapter 9 교류모델(AC Models)
 9-1 베이스 바이어스 증폭기 = 304
 9-2 이미터 바이어스 증폭기 = 309
 9-3 소신호 동작 = 312
 9-4 교류 = 314
 9-5 이미터 다이오드의 교류저항 = 316
 9-6 두 가지 트랜지스터 모델 = 320
 9-7 증폭기 해석 = 321
 9-8 데이터 시트의 교류량 = 325
Chapter 10 전압 증폭기(Voltage Amplifiers)
 10-1 전압이득 = 338
 10-2 입력임피던스의 부하효과 = 341
 10-3 다단 증폭기 = 344
 10-4 스웜프 증폭기 = 347
 10-5 2단 귀환 = 353
 10-6 고장 점검 = 355
Chapter 11 CC 및 CB 증폭기(CC and CB Amplifiers)
 11-1 CC 증폭기 = 366
 11-2 출력임피던스 = 371
 11-3 CE와 CC 종속접속 = 375
 11-4 다링턴접속 = 377
 11-5 전압레귤레이션 = 381
 11-6 공통 베이스 증폭기 = 384
Chapter 12 전력 증폭기(Power Amplifiers)
 12-1 증폭기 용어 = 400
 12-2 두 가지 부하선 = 402
 12-3 A급 동작 = 407
 12-4 B급 동작 = 415
 12-5 B급 푸시-풀 이미터폴로어 = 416
 12-6 B／AB급 증폭기의 바이어스 = 421
 12-7 B／AB급 드라이버 = 424
 12-8 C급 동작 = 426
 12-9 C급 공식 = 429
 12-10 트랜지스터 정격전력 = 435
Chapter 13 접합 전계효과 트렌지스터(JFETs)
 13-1 기본개념 = 450
 13-2 드레인곡선 = 452
 13-3 전달컨덕턴스 곡선 = 454
 13-4 옴영역의 바이어스 = 456
 13-5 활성영역의 바이어스 = 459
 13-6 전달컨덕턴스 = 471
 13-7 JFET 증폭기 = 473
 13-8 JFET 아날로그 스위치 = 478
 13-9 여러 가지 JFET 응용 = 482
 13-10 자료표 읽기 = 490
 13-11 JFET 시험 = 492
Chapter 14 금속-산화물-반도체 트렌지스터(MOSFETs)
 14-1 공핍형 MOSFET = 506
 14-2 D-MOSFET 곡선 = 506
 14-3 공핍형 MOSFET 증폭기 = 508
 14-4 증가형 MOSFET = 510
 14-5 옴영역 = 512
 14-6 디지털 스위칭 = 519
 14-7 CMOS = 523
 14-8 전력 FET = 525
 14-9 E-MOSFET 증폭기 = 532
 14-10 MOSFET시험 = 537
Chapter 15 사이리스터(Thyristors)
 15-1 4층 다이오드 = 548
 15-2 실리콘제어 정류기 = 552
 15-3 SCR 부하보호 회로 = 560
 15-4 SCR 위상제어 = 564
 15-5 양방향 사이리스터 = 568
 15-6 IBGT = 574
 15-7 그 밖의 사이리스터 = 578
 15-8 고장 점검 = 581
Chapter 16 주파수효과(Frequency Effects)
 16-1 증폭기의 주파수응답 = 590
 16-2 데시벨 전력이득 = 595
 16-3 데시벨 전압이득 = 599
 16-4 임피던스정합 = 601
 16-5 또 다른 기준 데시벨 = 604
 16-6 Bode 선도 = 606
 16-7 Bode선도 보충해석 = 610
 16-8 Miller 효과 = 616
 16-9 상승시간과 대역폭의 관계 = 619
 16-10 쌍극성접합 트랜지스터(BJT)의 주파수 해석 = 622
 16-11 전계효과 트랜지스터(FET)의 주파수 해석 = 629
 16-12 SM(Surface Mount)회로의 주파수 효과 = 634
Chapter 17 차동 증폭기(Differential Amplifiers)
 17-1 차동증폭기 = 646
 17-2 차동증폭기의 직류해석 = 649
 17-3 차동증폭기의 교류해석 = 654
 17-4 연산증폭기의 입력특성 = 661
 17-5 공통 이득 = 667
 17-6 집적회로 = 671
 17-7 전류미러 = 675
 17-8 부하가 있는 차동증폭기 = 677
Chapter 18 연산 증폭기(Operational Amplifiers)
 18-1 연산증폭기 = 690
 18-2 741 연산증폭기 = 692
 18-3 반전증폭기 = 702
 18-4 비반전 증폭기 = 709
 18-5 연산증폭기의 두 가지 응용 = 713
 18-6 선형 집적회로 = 719
 18-7 SMD로 된 연산증폭기 = 724
Chapter 19 부귀환(Negative Feedback)
 19-1 부귀환의 네 가지 형식 = 736
 19-2 VCVS 전압이득 = 738
 19-3 기타 VCVS의 식 = 741
 19-4 ICVS 증폭기 = 745
 19-5 VCIS 증폭기 = 748
 19-6 ICIS 증폭기 = 751
 19-7 대역폭 = 752
Chapter 20 선형 연산증폭기회로(Linear Op-Amp Circuits)
 20-1 반전증폭기 회로 = 768
 20-2 비반전 증폭기회로 = 770
 20-3 반전기／비반전기 회로 = 774
 20-4 차동증폭기 = 780
 20-5 계측증폭기 = 786
 20-6 가산증폭기 회로 = 790
 20-7 전류부스터 = 796
 20-8 전압제어 전류원 = 798
 20-9 자동이득 조절 = 803
 20-10 단일 전원공급 동작 = 806
Chapter 21 능동 필터(Active Filters)
 21-1 이상적인 응답 = 818
 21-2 근사응답 = 822
 21-3 수동 필터 = 834
 21-4 1차단 = 838
 21-5 VCVS 단위이득 2차 저역통과 필터 = 843
 21-6 고차 필터 = 849
 21-7 VCVS와 동일한 구성을 갖는 저역통과 필터 = 852
 21-9 VCVS 고역통과 필터 = 856
 21-9 MFB(다중-귀환) 대역통과 필터 = 858
 21-10 대역소거 필터 = 863
 21-11 전역통과 필터 = 865
 21-12 4차 필터와 상태변수 필터 = 870
Chapter 22 비선형 연산증폭기회로(Nonlinear Op-Amp Circuits)
 22-1 기준전압이 0 V인 비교기 = 882
 22-2 기준전압이 0 V가 아닌 비교기 = 889
 22-3 히스테리시스를 가지는 비교기 = 895
 22-4 창 비교기 = 901
 22-5 적분기 = 902
 22-6 파형변환 = 905
 22-7 파형발생 = 909
 22-8 또 다른 삼각파 발생기 = 913
 22-9 능동다이오드회로 = 914
 22-10 미분기 = 918
 22-11 D급 증폭기 = 920
Chapter 23 발진기(Oscillators)
 23-1 정현파 발진의 이론 = 934
 23-2 윈-브리지 발진기 = 935
 23-3 그 외의 RC 발진기 = 941
 23-4 콜피츠 발진기 = 942
 23-5 그 외의 LC 발진기 = 948
 23-6 수정진동자 = 952
 23-7 555 타이머 = 956
 23-8 555 타이머의 비안정 동작 = 963
 23-9 555 회로 = 968
 23-10 위상동기 루프(PLL) = 975
 23-11 함수발생기 IC들 = 978
Chapter 24 안정된 공급전원(Regulated Power Supplies)
 24-1 공급전원의 특성 = 994
 24-2 분로(병렬)형 안정기 = 996
 24-3 직렬형 안정기 = 1003
 24-4 모놀리딕 선형 안정기 = 1013
 24-5 전류부스터 = 1021
 24-6 직류-직류 변환기 = 1023
 24-7 스위칭 전원 안정기 = 1025
부록 A Data Sheets = 1044
부록 B 수학적 유도 = 1096
부록 C MultiSim Primer = 1102
부록 D R／2R D／A 변환기의 데브난 해석 = 1136
부록 E Summary Table Listing = 1138
해답 : Odd-Numbered Problems = 1139
찾아보기 = 1146